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公开(公告)号：CN113054181B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202110262711.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供一种含多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯的钴硫储氢复合材料及其制备方法，它是要解决现有钴硫合金的储氢性能差，放电容量低的技术问题，属于储氢材料领域。该储氢复合材料表达式为：Co9S8+xwt％NPC/rGO，其中，3≤x≤10。该制备方法包括如下步骤：(1)球磨法制备钴硫合金，(2)水热法制备多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料，(3)钴硫合金掺杂多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料。实验结果表明：通过添加多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料能够大幅提高钴硫合金的能量密度和循环稳定性，使得该合金用于镍氢电池时具有良好的储氢性能、较高放电容量以及较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108470674B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V‑L‑S(气‑液‑固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V‑S(气‑固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN107069423B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710352038.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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公开(公告)号：CN108470674A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V-L-S(气-液-固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V-S(气-固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN108364851A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810033542.7
申请日：2018-01-15
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种对GaSb材料表面进行氮钝化处理的方法。该方法利用原子层沉积技术对GaSb材料表面进行N钝化处理，在处理过程中通过引入高能量激光，使高能量激光光斑照射在原子层沉积系统腔室内N源出口处，用高能量激光辅助处理N源气体分子，高能的激光光子与NH3或N2这些N源气体分子相互作用，使NH3或N2分子活化为离子状态，提高N源的活性，实现N源能完全饱和GaSb材料表面的悬挂键，N源与GaSb材料表面的Ga原子快速成键并生成氮化物钝化层薄膜，本发明提出的这种方法能够在较低温度下实现，避免了高温沉积钝化层薄膜时会对GaSb材料引入其他形式缺陷的问题，实现在较低温度下对GaSb材料表面高质量的N钝化处理及高质量氮化物钝化层薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107069423A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710352038.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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公开(公告)号：CN116895754B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310868255.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种锌离子电池正极材料制备方法及应用，属于锌离子电池技术领域。本发明所提出的锌离子电池正极材料为Cu@Cu31S16复合材料，包括Cu集流体与Cu31S16正极材料。Cu31S16固有性质不会产生Jahn‑Teller畸变，有利于电极的稳定循环。此外，Cu31S16具有优异的电子/离子传导性和适度的电压平稳性，表现出金属特征，导电性更好。更进一步地，Cu@Cu31S16无粘结剂和导电剂，既节约了成本又简化了工艺。Cu31S16不仅是高效的锌离子电池正极材料，更是优异的氢质子正极材料。因此采用本发明的Cu@Cu31S16正极材料的锌离子电池，其电池的倍率性能和循环性能均得到明显提高。
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公开(公告)号：CN113054181A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110262711.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供一种含多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯的钴硫储氢复合材料及其制备方法，它是要解决现有钴硫合金的储氢性能差，放电容量低的技术问题，属于储氢材料领域。该储氢复合材料表达式为：Co9S8+xwt％NPC/rGO，其中，3≤x≤10。该制备方法包括如下步骤：(1)球磨法制备钴硫合金，(2)水热法制备多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料，(3)钴硫合金掺杂多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料。实验结果表明：通过添加多孔聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料能够大幅提高钴硫合金的能量密度和循环稳定性，使得该合金用于镍氢电池时具有良好的储氢性能、较高放电容量以及较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109585574B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811411972.4
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，该方法通过在单根GaSb纳米线两侧用电子束光刻技术制备ITO结构图形，对ITO材料两端施加电场并对电场进行调节，实现对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，通过对ITO材料表面等离子体共振频率的调节，实现改变GaSb纳米线探测器的特征响应波长，从而实现对GaSb纳米线探测器响应波长的连续调节。本发明所提出的方法采用GaSb基纳米线作为探测器的主体，采用ITO图形结构产生表面等离子体，在ITO图形结构上下两端施加电场，通过调节电场强度对ITO材料的介电常数进行改变，进而调节ITO材料的共振频率，实现对GaSb基纳米线探测器器件特征响应波长的调节。
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公开(公告)号：CN108183391A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810006341.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm-3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
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