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公开(公告)号：CN105019027B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410165012.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
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公开(公告)号：CN104928653A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410099591.2
申请日：2014-03-18
Applicant: 长春理工大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术制备p型Cu2O薄膜的方法，该方法是在PEALD系统中以NH3作为掺杂，通过δ掺杂方式，首先在衬底上沉积一层NH3，在沉积的NH3基础上再层积一层CuI，紧接着层积一层O2，生成一分子层氮气，n分子层Cu2O的，完成一个周期，根据需要生长N个这样的周期。所获得的p型Cu2O薄膜具有高的电学性能和良好的均匀性。通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜。可根据需要简单精确的对薄膜进行掺杂控制。
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公开(公告)号：CN102249221B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110133130.9
申请日：2011-05-23
Applicant: 长春理工大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种在衬底上利用激光光束通过光栅加热方法制备条纹宽度可控的单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质，能够实现高速电子器件制备的优化。因此实现生长优质的条纹状石墨烯材料对于电子技术的发展具有重要意义。本发明利用激光通过光栅加热衬底的方法制备条纹状的单层石墨烯，省略了光刻步骤，一步完成，简单易行，没有附加物质对生长材料的污染；同时，可以快速去除光束，具有降温快等特点，可以减少不必要的多层石墨稀生长，有效的实现石墨烯单层生长，其特征在于用光栅得到分立的光束，进而得到分立的条纹状的单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN104638517B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510111618.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。
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公开(公告)号：CN102897851B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210176695.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited Aggregation，DLA)原理，制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：以镍、钴的金属片作为反应源，放置在填满氯化钠石英容器内，并对容器进行加热。当温度达到1000℃以上时，氯化钠变为熔融态。由于氯离子有较强的腐蚀性，金属镍、钴被腐蚀而产生镍、钴的金属离子，并扩散出来。当金属离子达到一定的浓度时，以扩散作用为主要生长动力，按照自组装方式一个一个聚集在金属片表面，从而形成镍、钴的金属纳米结构。在反应过程中，通入适量的氧气，则发生氧化反应。最后形成镍、钴氧化物的纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105019027A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410165012.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
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公开(公告)号：CN105977788B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201610436288.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区，利用量子点材料的特点，有效对载流子的限制和利用，使带间级联激光器具有更低的阈值电流密度及宽的增益谱特性，有效提高带间级联激光器的性能。
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公开(公告)号：CN105977788A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610436288.6
申请日：2016-06-17
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区，利用量子点材料的特点，有效对载流子的限制和利用，使带间级联激光器具有更低的阈值电流密度及宽的增益谱特性，有效提高带间级联激光器的性能。
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公开(公告)号：CN102660775A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210120413.4
申请日：2012-04-24
Applicant: 长春理工大学
Inventor： 陈芳 , 李占国 , 刘国军 , 魏志鹏 , 马晓辉 , 徐莉 , 周璐 , 张晶 , 李梅 , 安宁 , 王博 , 张升云 , 田珊珊 , 高娴 , 刘超 , 单少杰 , 孙鹏 , 刘晓轩
Abstract: 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104638517A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510111618.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1-xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1-xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1-xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1-xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1-xInxSb层的x的值逐渐减小。
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