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公开(公告)号：CN115939238B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211467066.2
申请日：2022-11-22
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
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公开(公告)号：CN115939238A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211467066.2
申请日：2022-11-22
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种异质红外SAM‑APD材料、异质红外SAM‑APD及其制备方法。异质红外SAM‑APD材料，包括III‑V族吸收层、Si倍增结构层以及设置在III‑V族吸收层和Si倍增结构层之间的III‑V族垂直超晶格缓冲层。异质红外SAM‑APD的制备方法：通过离子注入技术对Si进行掺杂得到Si倍增结构层；在Si倍增结构层的表面依次外延生长III‑V族垂直超晶格缓冲层和III‑V族吸收层；采用紫外光刻技术制作刻蚀图形，利用电感耦合等离子体设备刻蚀APD台面结构，得到异质红外SAM‑APD。本申请提供的异质红外SAM‑APD材料，实现APD工作波长的拓展和增益性能的提升，易于实现硅基片上集成。
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公开(公告)号：CN115588703A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211326005.4
申请日：2022-10-20
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
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公开(公告)号：CN114530559A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210149724.7
申请日：2022-02-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请提供一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。钙钛矿光电探测器，包括层叠设置的聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层；所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和所述钙钛矿层之间具有空腔。钙钛矿光电探测器的制备方法，包括：将含有金属纳米颗粒的聚乙烯醇溶液在第一衬底上形成所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层；在第二衬底上涂覆PbX溶液得到PbX薄膜，然后将PbX薄膜与YX溶液反应得到钙钛矿多晶薄膜，退火得到钙钛矿层；将聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层贴合得到钙钛矿光电探测器。本申请提供的钙钛矿光电探测器，通过聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层之间的空腔，达到了控制金属纳米颗粒与钙钛矿之间的距离，从而实现LSPR增强效果。
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公开(公告)号：CN114188486A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111483385.8
申请日：2021-12-07
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX3的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备方法：将钙钛矿单晶前驱体溶液在加热条件下静置，固液分离得到所述钙钛矿单晶；以臭氧为氧的前驱体、以金属氧化物膜层对应的金属的化合物为金属前驱体，在钙钛矿单晶的表面进行原子层沉积，从而引入界面偶极子层，得到单晶钙钛矿材料。窄带光响应探测器，其原料包括所述的单晶钙钛矿材料。本申请提供的单晶钙钛矿材料，进一步窄化光响应半峰宽、抑制了背景噪声，提高了短波抑制比，有效提高了单晶的稳定性并且增强了器件的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112421375B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011298766.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件，涉及半导体器件技术领域，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y，其中，0
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公开(公告)号：CN108470674B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V‑L‑S(气‑液‑固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V‑S(气‑固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN111082308A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911413369.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种免焊料高导热半导体衬底及其制备方法，属于半导体技术领域。采用本发明提供的方法制备的半导体衬底中，背面设置有孔洞，且通过蒸镀法将延展性较好的金属材料填充在孔洞内，在孔洞填充满后继续利用蒸镀法继续在刻蚀衬底的背面制备金属材料层，使用该半导体衬底时，所述金属材料层可以充当焊料层，加热热沉后，即可实现半导体衬底与热沉直接粘附，省去了额外在热沉上制备焊料层的工艺，减少器件制备工艺步骤。此外，本发明在衬底基体背面设置孔洞，且孔洞中填充延展性好、导热能力强的金属材料，芯片受热膨胀时，不会由于过大的应力而造成芯片损坏以及与热沉脱离的问题，提升了半导体激光器芯片的寿命和半导体激光器的性能。
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公开(公告)号：CN105019027B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410165012.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
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公开(公告)号：CN109560163A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811405317.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb2S3量子点修饰采用(NH4)2S钝化液钝化处理后的GaAs纳米线，然后用这种硫钝化处理且包覆有Sb2S3量子点的GaAs纳米线进行探测器器件的制备。对GaAs纳米线进行表面硫钝化处理，降低了GaAs纳米线的表面态密度，提高探测器中载流子寿命，进而提高GaAs纳米线探测器的响应度，用量子点对GaAs纳米线包覆这使量子点与GaAs纳米线材料间构成Ⅱ型能带结构，光照下量子点的光载流子注入到GaAs纳米线中，提高GaAs纳米线探测器器件响应度，同时防止了钝化层被再次氧化，进而提高GaAs纳米线探测器的探测性能，解决现有GaAs纳米线探测器器件响应度较差的问题。
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