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公开(公告)号：CN117133833B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311359333.9
申请日：2023-10-20
Applicant: 长春理工大学 , 山东北方光学电子有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L21/02
Abstract: 一种光谱探测器芯片及其制备方法和光谱探测器，涉及光谱探测技术领域，解决了现有光谱探测器结构复杂、成本高、探测波段受限的问题。光谱探测器芯片包括基底层、底电极层、红外量子点层以及顶电极层；底电极层设置于基底层上，底电极层由阵列设置的若干底电极组成；红外量子点层的一端到另一端厚度递增；顶电极层覆盖于红外量子点层上。采用电子束蒸镀、磁控溅射或热蒸发镀膜的方式在基底层上加工底电极层；浸没于量子点反应溶液中加热至特定温度，在合成过程中提拉探测器，最后溶剂蒸发形成红外量子点层；在红外量子点层上方覆盖顶电极层，得到光谱探测器芯片。
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公开(公告)号：CN114235700B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111570140.9
申请日：2021-12-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种多组分气体浓度检测装置及方法。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由宽谱调谐激光光源、光纤准直器、分束取样板、激光波长监测模块、调制信号发生器、激光器控制电路模块、透镜组、可对腔镜精确控制温度的衰荡腔、衰荡腔温度控制模块、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用电流或温度控制实现半导体激光器的宽谱调谐，覆盖待测多组分气体的特征吸收谱线。同时，对控制衰荡腔镜温度调节腔镜的折射率，实现激光波长与衰荡腔的模式匹配，解决现有激光吸收光谱气体检测技术不能对多组分气体进行检测的问题。
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公开(公告)号：CN113284973B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110526831.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。
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公开(公告)号：CN114481308A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111636119.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
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公开(公告)号：CN114235701A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111570147.0
申请日：2021-12-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及气体检测技术领域，公开了一种可对检测结果进行实时自校准痕量气体浓度的检测装置。本发明提供的痕量气体浓度检测装置由DFB激光器、分束取样板、激光波长监测模块、激光器控制电路模块、中性分束镜、准直器、模式匹配透镜组、实时自校准衰荡腔、聚焦透镜、探测器、数据收集与分析处理电路模块构成。利用密闭式衰荡腔检测参数对开放式衰荡腔气体检测参数进行实时校准，解决现有腔衰荡光谱气体检测技术检测过程繁琐、更换光源对另一种气体检测时需要重新测定空腔参数、空腔衰荡参数不能根据检测环境变化实时更新的问题，具有检测步骤简单、检测结果误差较小、气体检测时可以实时自校准的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113284972A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110526233.5
申请日：2021-05-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 一种量子阱雪崩光电二极管涉及雪崩二极管技术领域，解决了现有不具有高响应度和低噪声的雪崩光电二极管的问题，空穴雪崩二极管包括顺次设置的n型半导体吸收层、雪崩层和p型半导体载流子收集层、n型电极和p型电极，雪崩层包括II型多量子阱或者多异质结，雪崩层的能带排列为II型排列；空穴在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处得到价带带阶后的空穴能量等于其离化阈值能量，空穴发生碰撞离化过程；电子在II型多量子阱的阱垒界面处或多异质结的p型n型界面处失去导带带阶后的电子能量小于其离化阈值能量，电子不发生碰撞离化过程。本发明实现了高倍增因子和低噪声特性，提高现有雪崩光电二极管的性能指标。
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公开(公告)号：CN108183391B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810006341.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明公开了一种提高n型GaSb基半导体激光器材料载流子掺杂浓度的方法。该方法通过在掺杂源源炉上设置高温裂解装置实现多聚体掺杂源裂解为单原子分子，使掺杂源以单原子分子的形式掺杂到材料内部，所涉及的高温裂解装置上设有针阀，所述针阀可以控制合适强度的多聚体掺杂源进入高温裂解装置，使多聚体形式的掺杂源在裂解装置中充分裂解为单原子分子形式。本发明公开的这种方法利用特殊设计的掺杂源高温裂解装置获得单原子分子的Te分子束流，解决传统Te源以多聚体形式掺杂所导致的掺杂浓度低、材料外延质量差的问题，以Te单原子分子形式可实现掺杂浓度达到1×1019cm‑3及以上，满足2μm波段GaSb基半导体激光器器件制作要求。
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公开(公告)号：CN109560151A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811227848.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出一种获得完整1D纳米材料的方法，该方法在生长1D纳米材料的衬底上首先外延生长AlxGa1-xAs薄膜，Al的组分为0.6≤x≤1，然后在制备有AlxGa1-xAs薄膜的衬底上生长1D纳米材料，1D纳米材料生长完成后，用HF酸对所生长的样品进行腐蚀并多次清洗获得完整的1D纳米材料。本发明利用AlxGa1-xAs薄膜可以与HF酸反应而被有效的腐蚀，GaAs、InAs纳米线材料不与HF酸反应而被完整的保留，将AlxGa1-xAs薄膜作为牺牲层从而实现获得完整的1D纳米材料的方法，本发明提出的这种方法解决现有技术中获得完整1D纳米材料的难题，可有效推动1D纳米材料在纳米光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN109337683A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811121624.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿复合发光材料的制备方法，该方法通过将微米级分子筛粉末添加到钙钛矿量子点溶液中制备出含有分子筛材料的钙钛矿量子点溶液，然后将这种含有分子筛材料和钙钛矿量子点的复合溶液旋涂在Si片基底上形成钙钛矿和分子筛的混合物薄膜层，或者将复合溶液放在真空烘箱中烘干得到钙钛矿复合材料。这种钙钛矿复合材料具有疏水分散稳定的优良性质，发光性能好，解决钙钛矿材料在空气中会被水和氧气发生反应而导致钛矿结构损坏和坍塌、发光性质缓慢降低制约钙钛矿材料在发光器件较难广泛应用的难题。
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公开(公告)号：CN103499431B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310389422.8
申请日：2013-09-02
Applicant: 长春理工大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种固体激光晶体动态热焦距测量方法与装置，该测量方法是将线偏振光往返通过固体激光晶体形成的热透镜，利用组合光学系统成像的方法实现固体激光晶体动态热焦距的精确测量；该测量装置包括反射镜A(4)、四分之一波片(5)、反射镜B(6)、被测固体激光晶体(7)、输出镜(8)、反射镜C(9)、偏振分束镜(10)、光阑B(11)、扩束镜(12)、指示光源(13)、衰减滤光片(14)、CCD探测单元(15)和功率计(16)。与现有测量方法相比，本发明的优点在于：简单易行，测量精度高，既适用于侧面泵浦固体激光器又适用于端面泵浦固体激光器中固体激光晶体热焦距的测量。
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