公开(公告)号：CN112993015A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110218622.1

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 孙有民 ,  王清波 ,  赵杰 ,  卓青青 ,  温富刚 ,  王成熙

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。

公开(公告)号：CN112967927A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110217575.9

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王清波 ,  薛东风 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  赵杰

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火或快速退火工艺完成稳压二极管P型区杂质激活，避免高温热过程导致的杂质浓度再分布，降低稳压二极管P型区杂质浓度在PN结附近的变化量。

公开(公告)号：CN112510081A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011380487.2

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。

公开(公告)号：CN110828560A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911114870.0

申请日：2019-11-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 赵杰 ,  薛东风 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王清波 ,  卓青青 ,  杜欣荣

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。