公开(公告)号：CN101425510A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173136.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体元件的叠层封装结构，包含至少一第一层封装，其内具有至少一个第一层半导体晶粒，其中第一层封装的上表面与下表面上有第一层接垫形成，第一层封装还具有一第一层上增层与/或一第一层下增层耦合至其第一层半导体晶粒的焊垫以连接第一层封装上下表面的第一层接垫；第二层封装内具有至少一个第二半导体晶粒，且其上表面与下表面上有第二层接垫以及导电连接通孔；其中第二层封装具有一第二层上增层与/或第二层下增层耦合第二半导体晶粒的第二层焊垫以连接第二层封装上下表面的第二层接垫与导电连结通孔。导电通孔是耦合至第一层封装上下表面的第一层接垫及第二层封装上下表面的第二层接垫；而粘着材料粘附在第一层封装的下表面及第二层封装的上表面上。

公开(公告)号：CN101425492A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710184943.4

申请日：2007-10-30

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  周昭男 ,  黄清舜

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明揭露了一种晶圆级封装结构。利用具低介电系数k的弹性材料作为半导体组件封装的积层的介电层材料，以改善可靠度，特别是电路板级温度循环测试中的可靠度。原则上，弹性介电层可吸收因热膨胀系数(CTE)不协调所造成的应力。

公开(公告)号：CN101425470A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710184944.9

申请日：2007-10-30

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  张瑞贤 ,  许献文

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2224/48463 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明提供一种形成影像传感器保护层的方法，包含将一玻璃黏附到一胶带上并在玻璃上划线定义出其覆盖区域，随后用一撞击装置将玻璃分块，随之在覆盖区域的周围形成一层黏胶。玻璃与一具有影像传感器的晶片连结，并将覆盖区域对齐影像传感器的一微透镜区域，其后将晶片上的胶带移除，因而在影像传感器上的覆盖区域形成一玻璃层。

公开(公告)号：CN100470742C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200410098100.9

申请日：2004-11-30

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/03

Abstract: 拾取与置放标准晶粒于一新的基底之上以得到一比传统的晶圆上的晶粒之间的距离更适当与更宽广的距离。一种芯片尺寸封装的形成方法，包括：分割一晶圆上的晶粒成为复数晶粒，然后，挑选与置放上述复数晶粒于一基底之上并且填入一第一材料层于上述基底上的复数晶粒之间。一具有第一开口的介电层是图案化以暴露上述晶粒的一第一导线的一部分。形成第二介电层于该第一介电层之上且暴露该晶粒的一第一导线的一部分，以形成第二开口。填入导线材料于第一与第二开口及第二介电层之上，以形成第二导线。形成一第二材料层于该第二导线与该第二介电层之上且暴露该第二导线之一部分之上，以形成一第三开口。接着，煅烧焊接球于上述第三开口之上。

公开(公告)号：CN101339928A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810132944.9

申请日：2008-07-02

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  林殿方

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种半导体晶粒封装结构之内联线结构，包含：一基板，具有预先制作之导线于其中；一晶粒，具有接触垫于主动表面；一黏合材质，将该晶粒黏合于该基板之上，其中该基板包含通孔贯穿该基板以及该黏合材质；导电材质填充于该通孔以利于连接该接触垫以及该导线。

公开(公告)号：CN100447994C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200410046429.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明揭露一种晶圆型态封装的结构，该结构包含一图案化的第一绝缘层，上述第一绝缘层与一集成电路组件的保护层结合；一导电层，上述导电层与上述第一绝缘层、集成电路组件的保护层与金属垫结合而产生弯曲的导电层图案；以及，一图案化的第二绝缘层，该第二绝缘层与该导电层结合，该第二绝缘层具有多个开口，每一该开口上具有一接触金属球以利于与一印刷电路板电性连接。

公开(公告)号：CN101261984A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083485.X

申请日：2008-03-07

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  许献文

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明是提供一种半导体组件封装结构，包含一上表面具有至少一预形成的晶粒容纳凹槽以及端点金属接垫的衬底。至少一第一晶粒是配置于上述晶粒容纳凹槽之内。一第一介电层是形成于第一晶粒与衬底之上并填满于第一晶粒以及衬底间的间隙，用以吸收其中的热机械应力(thermal mechanical stress)。一第一重布层(RDL)是形成于第一介电层之上并耦合至第一晶粒。一第二介电层是形成于第一重布层之上，而一第二晶粒是配置于第二介电层之上，并由具有通孔在其上的粘合膏(core pastes)环绕于其周围。一第二重布层是形成于上述粘合膏之上以填满上述通孔，而一第三介电层是形成于第二重布层之上。

公开(公告)号：CN101256991A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810082323.4

申请日：2008-02-29

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  林殿方

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提出一种增进硅片级封装(Wafer Level Package，WLP)可靠度的封装结构(package structure)。此封装结构至少包含两区域，一区域的硬度大于另一区域，此坚硬区域相较于此柔软区域，承受母板落下测试时较大的剪力(shears)，以作为消散此柔软区域中的剪力，以使此柔软区域中的缓冲层(buffer layers)免于剥离。

公开(公告)号：CN100413044C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510068973.X

申请日：2005-04-27

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  杨锦成 ,  邱政贤 ,  孙文彬 ,  赵匡祺 ,  袁禧霙 ,  余俊辉

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种晶圆级封装的填胶结构及其方法。上述方法包括将一黏性材料填满于复数个晶粒之间，并且覆盖上述复数个晶粒。上述复数个晶粒黏着于常态下具有黏性的胶膜图案上，并且形成于一可移除基板上。一相对刚性基板利用黏性材料的涂布以黏着上述晶粒。然后，于附着上述相对刚性基板之后，由一特殊环境将上述复数个晶粒从上述胶膜图案中分离。

公开(公告)号：CN101131967A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200610111709.4

申请日：2006-08-24

Applicant: 育霈科技股份有限公司

Inventor： 杨文焜 ,  林志伟 ,  张瑞贤

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/73253

Abstract: 本发明半导体组件保护结构及其制造方法属于半导体封装结构领域，包括芯片、基板、保护薄膜、焊锡球及电性接触片。所述芯片，在其上表面具有复数个电性接触片于该芯片的上表面之上；复数个导电球，连接至该电性接触片；所述基板，附着至该芯片下表面之上；还包括一缓冲层，形成于该基板之上，并且邻接该芯片；以及第二缓冲层，其中该基板是结合于该第二缓冲层之上，使得该第二缓冲层包围整个基板，藉以降低当该基板的侧边受到一外力时对该基板的损害。该半导体组件保护结构可使半导体芯片及基板侧部与外界物体发生碰撞时，不会使元器件损坏碎裂，增加了半导体器件的使用寿命可靠性。