-
公开(公告)号：CN108494365A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810535342.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种光伏组件及组件串在线失配监测系统，包括无线传感节点、子阵列路由节点及上位机数据管理模块；无线传感节点与光伏组件相连以测量光伏组件的运行状态；子阵列路由节点与组件串相连以测量组件串的电压和背板温度；传感节点以第一级无线传感网络与子阵列路由节点相连；子阵列路由节点以第二级无线传感网络与上位机数据管理模块相连；子阵列路由节点在收集组件串的光伏数据时，同步收集其内部光伏组件的光伏数据；上位机数据管理模块从子阵列路由节点收集光伏组件和组件串的光伏数据，并判定是否有失配故障及故障位置，本发明能够在线实时获取光伏子阵列中各个组件串及各个组件的电气和环境参数并据此判断光伏阵列的运行状况。
-
公开(公告)号：CN105957926B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571895.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072 , C23C14/06 , C23C14/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
-
公开(公告)号：CN106098935A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610522488.3
申请日：2016-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁侧，该氧化物线状忆阻器在低功耗下具有良好的阻变性能且通过特定的激发方式可以在低功耗下实现电子突触功能。
-
公开(公告)号：CN106098844A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610490142.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极，减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本；采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层，绿色环保，热膨胀系数与钼箔基底相匹配；且CZTS制备工艺简单，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106024963A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105428217A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510814405.3
申请日：2015-11-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/225 , H01L21/324 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L21/02697 , H01L21/225 , H01L21/3245 , H01L31/03042
Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。
-
公开(公告)号：CN105390611A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510665569.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L45/145 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。
-
公开(公告)号：CN105226183A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
-
公开(公告)号：CN105140317A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510450613.X
申请日：2015-07-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种Zn(O,S)薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。在真空条件下，通过电子束蒸发的方法蒸发ZnS陶瓷颗粒，使之沉积在玻璃衬底上形成ZnS薄膜，然后通过在氧气氛围下氧化ZnS薄膜的方法掺入O元素，形成Zn(O,S)薄膜。这种方法制作出的Zn(O,S)薄膜可以通过控制氧化温度来实现不同含量的O元素掺杂，它可以代替CdS用于薄膜太阳能电池的缓冲层中，不仅可以使电池器件的生产更加环保经济，而且它操作简单，制备出来的薄膜光学透过率高，禁带宽度大小可以调节，能增加光电子的收集效率从而增大电池的短路电流，提高太阳能电池的转化效率。
-
公开(公告)号：CN103606591A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310571098.1
申请日：2013-11-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0324
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.027 seconds)
