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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098935A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610522488.3
申请日：2016-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁侧，该氧化物线状忆阻器在低功耗下具有良好的阻变性能且通过特定的激发方式可以在低功耗下实现电子突触功能。
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公开(公告)号：CN105226183A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
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公开(公告)号：CN106098936B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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公开(公告)号：CN105226183B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510678680.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法，所示阻变存储器包括：一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与衬底形成良好电接触；一阻变介质层，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的左侧；若所述阻变介质层设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述阻变介质层的上方。其中，所述的阻变介质层可为双层阻变介质，所述的双层阻变介质是由第一阻变层与第二阻变层组成的叠层结构。本发明采用等离子修饰，在介质中或介质表面处引入缺陷，从而有效抑制负向电流值并极大提高正负向电流差值。
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公开(公告)号：CN106098936A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0009 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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