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公开(公告)号：CN106024963B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
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公开(公告)号：CN105957926B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571895.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072 , C23C14/06 , C23C14/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098844A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610490142.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极，减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本；采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层，绿色环保，热膨胀系数与钼箔基底相匹配；且CZTS制备工艺简单，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106024963A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
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公开(公告)号：CN105914244B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610491387.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN105957926A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610571895.3
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/072 , C23C14/06 , C23C14/24
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C23C14/0623 , C23C14/24 , H01L31/0326 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。
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公开(公告)号：CN105914244A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610491387.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L21/02425 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L31/0326 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。
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