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公开(公告)号：CN101584018B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780049119.6
申请日：2007-11-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 杰·汤玛斯·舒尔 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/317 , H01J27/02
CPC classification number: Y02E60/324
Abstract: 本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。
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公开(公告)号：CN101467227A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021294.4
申请日：2007-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本案揭示了一种离子束电流均匀度监控器、离子注入机及相关的方法。在一实施例中，所述离子束电流均匀度监控器(15)包括：离子束电流测量器，包括多数个测量装置(17)，以测量离子束(12)内多个位置的电流；以及控制器(18)，以根据所述离子束电流测量器的离子束电流测量值来维持离子束电流均匀度。
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公开(公告)号：CN101410930A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010722.3
申请日：2007-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·罗 , 皮尔·R·卢比克 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/16 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/026 , H01J2237/038
Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/时的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。
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公开(公告)号：CN101120427A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680004939.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/24405 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。
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公开(公告)号：CN112335012B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种处理系统与离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN112335012A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN108040498A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供用于改善离子撷取系统的离子束撷取稳定度及离子束流的方式。在一种方式中，一种源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号：CN105793954B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480064880.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供一种控制离子束的装置与方法以及离子植入机。用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。本发明的优点是所述离子植入机可在两种不同模式下操作：点束模式与带状束模式。
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公开(公告)号：CN105765692B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480063500.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种离子束扫描器、离子布植机及控制点离子束的方法。离子束扫描器包含第一扫描平台，具有第一开口以传送离子束，第一扫描平台对应于第一振荡偏转信号以在第一开口内产生第一振荡偏转场；第二扫描平台，设置于第一扫描平台下游、并具有第二开口以传送离子束，第二扫描平台对应第二振荡偏转信号以在第二开口内产生方向与第一振荡偏转场相反的第二振荡偏转场；以及扫描控制器，当经扫描离子束离开定义共同聚焦点的第二扫描平台时，使第一振荡偏转信号和第二振荡偏转信号同步以产生多个离子轨迹。本申请技术方案能更容易地在带状束和点束模式中去操作束线离子布植机，且在切换操作模式时不需要大规模的重新配置。
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公开(公告)号：CN104335319B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380029154.7
申请日：2013-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/15
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/15 , H01J2237/083 , H01J2237/1502 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种电极调整组件与调整电极的方法，用于工件制程。电极调整组件可包括具有第一端及第二端(126，128)的电极组件(124)。第一及第二机械手(130，132)可被耦接至第一端及第二端。机械手可被用以选择性地带动电极组件的第一和第二端部的移动以调整一或多个通过电极的离子束特性。第一及第二机械手可独立操纵使得电极的第一端及第二端可彼此独立地被调整。
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