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公开(公告)号：CN113394114B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010164755.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H10D80/30
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
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公开(公告)号：CN111128981B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010010609.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。
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公开(公告)号：CN112770496A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911002677.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板器件的安装结构及具有其的电子设备，电路板器件的安装结构包括电路板和元器件；所述电路板设有卡槽，所述卡槽设有缺口部；所述元器件包括相连接的本体和引脚，所述引脚设有与所述缺口部相适配的卡接部，所述卡接部穿过所述缺口部并转动至预设位置时与所述卡槽卡合。根据本发明提供的电路板器件的安装结构，将元器件与电路板的焊接形式改进为卡槽连接形式，通过卡接部的转动至一定角度将元器件与电路板结合，在反向转动卡接部可以解除两者的结合，不仅方便更换，而且不会对元器件和PCB板造成损坏，便于元器件的回收。
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公开(公告)号：CN112540251A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011370732.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种智能功率模块测试装置及系统,该装置包括插座、PCB板以及形成于PCB板的第一线路、第二线路、外接焊盘和引脚焊盘；引脚焊盘位于待测模块的两侧，引脚焊盘与待测模块的引脚对应设置；插座与引脚焊盘连接，插座与用于与待测模块连接；第一线路通过导线与待测模块一侧的引脚焊盘连接，第二线路通过导线与待测模块令一侧的引脚焊盘连接；第一线路与第二线路连接，外接焊盘通过导线与第一线路和第二线路连接，且外接焊盘用于与测试机连接。测试时，将待测模块安装在插座上，将外接焊盘与测试机连接。测试时无需掰动模块引脚，降低了模块损伤的风险，简化了测试步骤，加快了测试速度，保证了测试结果准确性。
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公开(公告)号：CN111128981A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010010609.2
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/04 , H01L23/043 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块封装结构和封装方法，IGBT模块封装结构，其特征在于包括：基板(3)，能够承载IGBT芯片(7)于其上；壳体(11)，罩设于所述基板(3)上且在所述壳体(11)内部形成容纳所述IGBT芯片(7)的空腔，且所述IGBT芯片(7)被设置于所述空腔内；在所述空腔内还填充设置有塑封料(9)，且所述壳体(11)的顶盖(101)的下端面上设置有朝下延伸的至少一个隔板(12)、将所述塑封料(9)进行分隔。通过本发明将模块的顶盖内部设计为栅栏式隔断结构，内部栅栏将塑封料分隔为多个狭小空间，塑封料振动空间小，摆动幅度小，对键合线的拉扯力度降低，减小失效率，大大提高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110469919A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910668261.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中，功率器件的散热装置包括：固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件，所述控制板与所述固定件连接；通过调整所述固定件与所述控制板的距离，调整所述控制板与所述散热组件之间的距离，以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本发明通过设置的固定件连接控制板，固定件对控制板首先有一个加固的作用，另外固定件与控制板之间的距离可调节，从而调节控制板与所述散热组件之间的距离，保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触，提升功率器件的散热性能，保证功率装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109442707A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811285691.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及空调控制器散热技术领域，具体涉及到一种空调控制器的散热器、空调及其散热器的制作方法。所述空调上设有相对的进风口与出风口，所述散热器设置于进风口与出风口之间，所述散热器包括基座、若干翅片，所述若干翅片固定于基座上且相邻翅片间隔形成散热风道，所述散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角。本发明的空调控制器的散热器上设有多个的散热翅片并形成多个散热风道，散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角，该种倾斜角度的做法不仅能够增大散热器翅片面积，还能够将翅片处的空气流动由层流改变为紊流，加快空气与翅片撞击速率以加速散热，延长空调控制器的使用时间，本发明提供的制作方法工艺合理，便于加工。
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公开(公告)号：CN114975128B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN112713090B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911019801.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件，所述QFN器件包括芯片基底，芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚，以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔；装配在芯片基底区内的芯片，其覆盖和连通第一引脚，并通过键合线连接第二引脚；塑封体，其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚；一个平坦锡层和若干弯折锡层，平坦锡层形成在第一引脚的底面上，若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上，每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层，提高了器件与PCB板的焊接强度，从而提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113394204A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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