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公开(公告)号：CN209344058U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201821601781.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供了一种封装结构，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN220753409U
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202322021187.0
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型涉及一种智能功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的智能功率模块包括芯片、陶瓷基板和散热层。其中，芯片和散热层分别设置于陶瓷基板的两侧，散热层与陶瓷基板固定相连，散热层背离陶瓷基板的一面为多个散热结构，相邻两个散热结构之间形成凹槽。本实用新型的智能功率模块将散热层直接固定在陶瓷基板上，结构简单，芯片产生的热量容易传递到散热层上。散热层背离陶瓷基板的一面为多个散热结构，相邻两个散热结构之间形成凹槽，能增加散热层与空气的接触面积，提高散热效果，因而不需要另外再设置散热器，降低了智能功率模块的制造成本。
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公开(公告)号：CN221447123U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202323089683.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种模块芯片定位装置，涉及模块装配技术领域。本实用新型包括定位板和多个基准定位部。定位板上开设有第一定位槽、第二定位槽以及第三定位槽，第一定位槽对高压集成电路模块形成限位，第二定位槽对绝缘栅双极型晶体管形成限位，第三定位槽对快恢复二极管形成限位。多个基准定位部设置于定位板上，其中，每个第一定位槽、第二定位槽以及第三定位槽分别对应有至少一个基准定位部，以通过基准定位部进行芯片的定位。通过定位装置将模块上所有的芯片预先定位，再通过上芯机识别基准定位部进行上芯定位，可以一次性完成所有芯片的上芯。由此，消除了各芯片与焊料的高温接触时间，又从整体上提高了上芯效率和模块的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN210837754U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201922178796.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备。该沟道型功率器件版图结构包括：多个版图单元；每个版图单元具有栅极区以及四个环绕栅极区分布的沟道区；沿行方向或列方向，任意两个相邻的沟道区的沟道相互垂直。不论是行方向还是列方向，相邻的两个沟道区的沟道相互垂直，可以改善沟道结构的晶圆的应力分布，有利于消除晶圆的翘曲；而沟道区环绕栅极区设置，方便晶圆在测试中扎针，也方便晶圆的上芯封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221947154U
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202422052061.4
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块以及电子设备，功率模块包括：基板，以及连接于基板的功率模块芯片；其中，基板包括背离设置的第一侧与第二侧，第一侧设置有第一导电层，第二侧设置有导电槽和第二导电层，第二导电层的至少部分填充导电槽，功率模块芯片设置在导电槽内并通过第二导电层固定连接于导电槽。本申请实施例提供的功率模块，导电槽内填充第二导电层，功率模块芯片设置在导电槽内，并通过导电槽内的第二导电层直接与基板连接，保证了第二导电层与功率模块芯片之间的接触面积，可以有效避免功率模块芯片的虚焊问题，保证了功率模块的可靠性，此外，通过第二导电层直接连接功率模块芯片，省去了点锡步骤，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN221379364U
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202322348542.5
申请日：2023-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/492 , H01L25/18
Abstract: 本实用新型公开一种DBC基板结构及IPM模块，通过至少两个DBC子基板相邻布设，相邻DBC子基板通过凹凸结构彼此嵌合拼接，这样可以有效避免一整个大块DBC基板的开裂问题，同时结构连接上更紧凑、更稳定；此外，相邻DBC子基板在拼接缝隙处涂刷导电浆并经过回流焊完成相邻DBC子基板之间的导电连接，更便于加工，良品率更高。
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公开(公告)号：CN211150544U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202020125026.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 本申请提供了一种散热片，属于芯片封装技术领域，在本实用新型中，在所述散热片上设置有可容纳溢出封装塑脂的容纳空间。基于该散热片，本申请还提供了一种封装模块。本实用新型在散热片上设置有容纳空间，在芯片封装时，封装塑脂如果从散热片的边缘溢出，那么溢出的封装塑脂会溢流到容纳空间内，不会再在散热片表面继续流动，由于封装塑脂被“截流”，可以使得散热片的有效散热面积得到保证，从而达到解决现有技术中模块封装由于溢出封装塑脂而存在的散热功效降低这一问题的目的。本申请所提供的封装模块，由于使用了如上述的散热片，因此，其也能够解决封装塑脂覆盖散热片而降低散热片散热功效的问题。
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公开(公告)号：CN209804655U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920706780.X
申请日：2019-05-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体晶圆及具有其的电子装置；半导体晶圆包括依次连接的芯片层、晶圆层和金属层；所述芯片层包括多个间隔布设在所述晶圆层上的芯片，相邻两个所述芯片形成划片道；所述划片道上间隔设置有多个凹槽。根据本实用新型提供的半导体晶圆，在晶圆层与芯片形成的划片道上设有多个凹槽，通过凹槽将划片道分隔成若干待切割区域，由于凹槽的存在，阻止了切割应力过多分散，提高切割效率，而且防止了切割过程中晶圆片出现非期待性的裂片，进而提高了晶圆产出良率。
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公开(公告)号：CN217768361U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202221521042.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本实用新型公开一种半导体器件封装模块，包括导线框架、半导体器件、封装体及平板热管；半导体器件具有至少一个底部引脚，底部引脚与导线框架的内接端子连接，并将半导体器件设置于导线框架顶部；导线框架、半导体器件封装于封装体内，并露出所述导线框架的外接端子；平板热管设置于所述半导体器件的顶部，平板热管全部或部分封装于所述封装体内。本实用新型通过将平板管引入半导体器件封装模块，利用平板热管将半导体器件的热量快速高效的转移，导热散热效率大大提升。此外，通过进一步设置上散热片和下散热片，并且分别暴露于封装体的顶部和底部，使得整个封装模块实现产品上下双面散热的效果。再者，上散热片和下散热片的横向开孔横向贯通封装体，更利于通过空气流通带走热量。
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