一种焊接强度高的金刚石膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115142040B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202210728772.1

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种焊接强度高的金刚石膜及其制备方法和应用。该金刚石膜包括金属碳化物颗粒、金刚石层和金刚石晶粒,其中所述金刚石层下表面布设有凸起的金属碳化物颗粒,所述金属碳化物颗粒部分嵌入于所述金刚石层中;所述金刚石层上表面布设有凸起的金刚石晶粒,所述金刚石晶粒与金刚石层一体生长而成。本发明采用热丝化学气相沉积法,可以简单的将碳化物嵌入金刚石层的下表面,同时在沉积后期通过施加偏压的改变,合理控制金刚石生长面的结构,得到与金刚石层一体生长的凸起的金刚石晶粒。该金刚石膜用于钎焊时,可形成有效的粘结,显著提高钎焊时的焊接强度,且制备方法简单,有利于工业化应用。

    一种高韧性金刚石膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115261817A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210730612.0

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种高韧性金刚石膜的制备方法,属于薄膜技术领域。其制备为:在热丝化学气相沉积装置中通入碳源,沉积得到金刚石;同时在热丝化学气相沉积工艺沉积金刚石过程中,周期性的通入硼烷或硅烷,与碳源反应得到碳化硼或碳化硅纳米颗粒,被生长的金刚石包裹,最终形成镶嵌有碳化硼或碳化硅纳米颗粒的金刚石膜。本发明所得金刚石膜中镶嵌的碳化硼或碳化硅颗粒能实现金刚石的纳米颗粒增韧;同时金刚石膜生长面上碳化硼(或碳化硅)颗粒的沉积,扰乱了金刚石晶粒的连续生长,加速孪晶的形成,实现金刚石的孪晶增韧。该金刚石膜通过颗粒增韧和孪晶增韧共同作用,实现了金刚石断裂韧性显著提高。

    一种具有核壳结构的NiCo-LDH/(Ni,Fe)(OH)2/泡沫镍复合电极

    公开(公告)号:CN113604834A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110788314.2

    申请日:2021-07-13

    Inventor: 王升高 方晗 田爽

    Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的NiCo‑LDH/(Ni,Fe)(OH)2/泡沫镍复合电极,它以泡沫镍为基底,以在泡沫镍基底表面生长得到的(Ni,Fe)(OH)2纳米突起为内核,以负载在(Ni,Fe)(OH)2纳米突起表面的NiCo层状双金属氢氧化物为外壳。所述复合电极具有优异的电化学性能,并可有效兼顾良好的机械强度以及稳定性,应用性广;且涉及的制备方法简单,反应条件较温和,成本较低,且环境友好,适合推广应用。

    一种纳米Ag-Cu焊膏及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN107511602B

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201710690344.3

    申请日:2017-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种纳米Ag‑Cu焊膏及其制备方法和应用。所述纳米Ag‑Cu焊膏由Ag粉、Cu粉和丙三醇按照下述比例制备而成:Ag粉和Cu粉的质量比为2~4:1;Ag粉和Cu粉的质量之和与丙三醇的质量比为8~12:1。其中,所述Ag粉的粒径为5~10nm,Cu粉的粒径为20~60nm。所述纳米Ag‑Cu焊膏的制备方法为:取Ag粉和Cu粉,加入酒精研磨,得Ag‑Cu混合粉末,再加入丙三醇调制成粘稠膏状,得到纳米Ag‑Cu焊膏。所述纳米Ag‑Cu焊膏可用于制备铜与铜的连接件,具体步骤如下:取适量纳米Ag‑Cu焊膏,均匀涂抹在两块铜母材的待连接面上,合上待连接面,连接。本发明提供的纳米Ag‑Cu焊膏抗氧化性强、抗电化学迁移性好、电导率和热导率高,由其连接制备的接头剪切强度理想、可靠性高。

    星型微波等离子体化学气相沉积装置及制备大面积一层或少层二硫化钼薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110484898A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910774857.1

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 本发明涉及低压化学气相沉积制备技术领域,具体涉及一种星型微波等离子体化学气相沉积装置及制备大面积一层或少层二硫化钼薄膜的方法。该方法包括:a)对各基片进行预清洁处理并置于石英腔体中;b)称取反应物并分别放置于第一原料载台上和第二原料载台上;c)对星型微波等离子体化学气相沉积装置进行抽真空处理;d)对星型微波等离子体化学气相沉积装置进行洗气;e)调节气体流量、反应压强、反应温度、加热速率、沉积时间,进行反应,在各基片上即得一层或少层二硫化钼薄膜。本发明制备的薄膜可同时满足大面积、层数可控、高迁移率等特性要求,对于大面积一层和少层可控薄膜的制备可控,可用于工业化大批量生产。

    一种钼/钢接头及其制备方法

    公开(公告)号:CN108907492A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810895864.2

    申请日:2018-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种钼/钢接头及其制备方法。所述钼/钢接头的连接层具有“三明治”式三层结构,包括:分别用来与钼及钢连接的Ni76CrP焊料层各一层和位于所述两层Ni76CrP焊料层中间的金属箔层。其制备方法包括下述步骤:1、称取适量的Ni76CrP焊粉,加入丙三醇调和,得Ni76CrP膏状焊料;2、在钢块和钼块的待连接端面上各涂覆一层步骤1得到的Ni76CrP膏状焊料,然后将金属箔置于所述两层Ni76CrP膏状焊料的中间,合拢钢块和钼块,最后施加10kPa的载荷,将整体钎焊,所述钎焊的条件为真空下,升温至1000-1100℃并保温10min,得到钼/钢接头。本发明制备方法简单,易于操作,原料成本低廉;制得的连接钼/钢接头,其连接层均匀致密,接头界面结合良好,无裂纹及孔隙等缺陷,接头连接强度较高。

    一种铜基钎料添加铜箔的钨/铜接头及其制备方法

    公开(公告)号:CN108746910A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810617071.4

    申请日:2018-06-15

    CPC classification number: B23K1/19 B23K1/0008

    Abstract: 本发明公开了一种铜基钎料添加铜箔的钨/铜接头及其制备方法。所述接头的连接层具有三层复合结构,包括:分别涂覆在钨及铜的待连接端面的铜基钎料和位于所述两层铜基钎料之间的铜箔。其制备方法如下:1)称取Cu、TiH2和Ni粉,加入酒精,研磨直至酒精完全挥发,得到Cu‑TiH2‑Ni粉末钎料;2)取适量Cu‑TiH2‑Ni粉末钎料,加入丙三醇调和,得到Cu‑TiH2‑Ni焊膏;3)在母材钨和铜的待连接端面分别涂覆Cu‑TiH2‑Ni焊膏,并于其中一块母材的Cu‑TiH2‑Ni焊膏上面放置铜箔,合拢两块母材,钎焊,得到钨/铜接头。本发明制备工艺简单,易于操作,原料成本低廉;制得的连接钨/铜接头,其连接层均匀致密,接头界面结合良好,无明显裂纹及孔隙等缺陷,接头连接强度较高。

    一种铜基焊料及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN105855745B

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201610303962.3

    申请日:2016-05-10

    Abstract: 本发明涉及一种可以用来制备钨/铜和石墨/铜接头的铜基焊料,其为微米级的Cu粉和TiH2粉经混合后的粉料,其中TiH2粉所占质量百分比为20%~25%,Cu粉所占质量百分比为75%~80%,所述的铜基焊料的制备方法,选取粒径为微米级的Cu粉和TiH2粉;将Cu粉和TiH2粉按比例混合之后放入研钵中;然后倒入酒精,并研磨,直到酒精完全挥发,得到粉体焊料。本发明的主要优点是:(1)制备工艺简单;(2)接头连接强度较高;(3)因此工艺成本较低。

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