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公开(公告)号：CN115142040A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210728772.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种焊接强度高的金刚石膜及其制备方法和应用。该金刚石膜包括金属碳化物颗粒、金刚石层和金刚石晶粒，其中所述金刚石层下表面布设有凸起的金属碳化物颗粒，所述金属碳化物颗粒部分嵌入于所述金刚石层中；所述金刚石层上表面布设有凸起的金刚石晶粒，所述金刚石晶粒与金刚石层一体生长而成。本发明采用热丝化学气相沉积法，可以简单的将碳化物嵌入金刚石层的下表面，同时在沉积后期通过施加偏压的改变，合理控制金刚石生长面的结构，得到与金刚石层一体生长的凸起的金刚石晶粒。该金刚石膜用于钎焊时，可形成有效的粘结，显著提高钎焊时的焊接强度，且制备方法简单，有利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN115261817B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210730612.0
申请日：2022-06-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高韧性金刚石膜的制备方法，属于薄膜技术领域。其制备为：在热丝化学气相沉积装置中通入碳源，沉积得到金刚石；同时在热丝化学气相沉积工艺沉积金刚石过程中，周期性的通入硼烷或硅烷，与碳源反应得到碳化硼或碳化硅纳米颗粒，被生长的金刚石包裹，最终形成镶嵌有碳化硼或碳化硅纳米颗粒的金刚石膜。本发明所得金刚石膜中镶嵌的碳化硼或碳化硅颗粒能实现金刚石的纳米颗粒增韧；同时金刚石膜生长面上碳化硼(或碳化硅)颗粒的沉积，扰乱了金刚石晶粒的连续生长，加速孪晶的形成，实现金刚石的孪晶增韧。该金刚石膜通过颗粒增韧和孪晶增韧共同作用，实现了金刚石断裂韧性显著提高。
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公开(公告)号：CN115142040B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210728772.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种焊接强度高的金刚石膜及其制备方法和应用。该金刚石膜包括金属碳化物颗粒、金刚石层和金刚石晶粒，其中所述金刚石层下表面布设有凸起的金属碳化物颗粒，所述金属碳化物颗粒部分嵌入于所述金刚石层中；所述金刚石层上表面布设有凸起的金刚石晶粒，所述金刚石晶粒与金刚石层一体生长而成。本发明采用热丝化学气相沉积法，可以简单的将碳化物嵌入金刚石层的下表面，同时在沉积后期通过施加偏压的改变，合理控制金刚石生长面的结构，得到与金刚石层一体生长的凸起的金刚石晶粒。该金刚石膜用于钎焊时，可形成有效的粘结，显著提高钎焊时的焊接强度，且制备方法简单，有利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN115261817A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210730612.0
申请日：2022-06-24
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高韧性金刚石膜的制备方法，属于薄膜技术领域。其制备为：在热丝化学气相沉积装置中通入碳源，沉积得到金刚石；同时在热丝化学气相沉积工艺沉积金刚石过程中，周期性的通入硼烷或硅烷，与碳源反应得到碳化硼或碳化硅纳米颗粒，被生长的金刚石包裹，最终形成镶嵌有碳化硼或碳化硅纳米颗粒的金刚石膜。本发明所得金刚石膜中镶嵌的碳化硼或碳化硅颗粒能实现金刚石的纳米颗粒增韧；同时金刚石膜生长面上碳化硼(或碳化硅)颗粒的沉积，扰乱了金刚石晶粒的连续生长，加速孪晶的形成，实现金刚石的孪晶增韧。该金刚石膜通过颗粒增韧和孪晶增韧共同作用，实现了金刚石断裂韧性显著提高。
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公开(公告)号：CN219624501U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202320660305.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 武汉工程大学
IPC: F27D13/00
Abstract: 本实用新型公开了一种三元前驱体材料预处理装置，包括：旋风筒的内部中空，且其侧壁开设有进料口，等离子组件包括枪体、电极体及介质管，枪体连接于进料口的下方，并形成有固定腔，枪体开设有与固定腔和旋风筒的内部均相连通的喷射口，电极体插设于固定腔，并具有用于与外部供电设备相电性连接的电连接端和放电端，电极体的电连接端与固定腔的内壁之间形成有进气间隙，电极体的放电端相对喷射口设置，且电极体的放电端沿靠近喷射口的方向横截面积逐渐减小，并形成有尖端，电极体的放电端与固定腔的内壁之间形成有与喷射口相连通的放电间隙，介质管套设于电极体，用于配合电极体放电。本实用新型能解决无法批量预处理三元前驱体材料的问题。
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