公开(公告)号：CN101918888A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: G02F1/1343 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN113529018A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110343743.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 仓千晴 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/532 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的Al合金蒸镀膜含有Al、及1.5atm％～6.0atm％的Zr或Zn，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。本发明涉及一种包括所述Al合金蒸镀膜的显示器用配线膜、显示器装置、及Al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材。

公开(公告)号：CN108886060A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021338.7

申请日：2017-04-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  北山巧 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 一种在基板上按顺序至少具有氧化物半导体层、栅绝缘膜、栅电极、源‑漏电极和保护膜，此外还含有保护层的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层，由以特定的原子数比含有In、Ga、Zn、Sn和O的氧化物构成，所述保护层含有SiNx，并且迁移率为15cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN108779552A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017275.8

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  越智元隆 ,  川上亚由子

IPC: C23C14/08 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

Abstract: 一种抗静电膜，是设于透光性构件之上的具有透光性的抗静电膜，其含有In、Zn、Sn和O。

公开(公告)号：CN104904017B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、以及保护所述源‑漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚‑氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN105246855B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480030142.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 田尾幸树 ,  广濑研太 ,  慈幸范洋 ,  越智元隆

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/645 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90％以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足30原子％≤[In]≤50原子％、20原子％≤[Ga]≤30原子％、25原子％≤[Sn]≤45原子％，并且InGaO3相满足[InGaO3]≥0.05。

公开(公告)号：CN105683884A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058893.3

申请日：2014-11-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: G06F3/041 ,  C22C21/00 ,  C22C22/00 ,  G06F3/044 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B32B15/016 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C22/00 ,  C22C27/04 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/086 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01J37/3429

Abstract: 本发明提供一种优选用于以电容方式的触控面板传感器等为代表的输入装置中的电阻率低且反射率低的新型电极；及其制造方法。该电极是具有如下层叠结构的电极：由Al膜或Al合金膜构成的第1层；以及包含Al及选自Mn、Cu、Ti和Ta中的至少一种元素的Al合金的第2层，其一部分氮化。

公开(公告)号：CN105324835A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。

公开(公告)号：CN101919060B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980101632.4

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  川上信之 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。

公开(公告)号：CN101542696B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780044289.5

申请日：2007-11-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  川上信之 ,  越智元隆

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。