公开(公告)号：CN109477221A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780036633.X

申请日：2017-06-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村文生 ,  田丸义久 ,  矢岛贵浩 ,  加藤裕子 ,  神保洋介 ,  植喜信 ,  冈野秀一 ,  冈山智彦

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 课题：提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。解决手段：本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。

公开(公告)号：CN102576668B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080045522.3

申请日：2010-10-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 甲斐干英 ,  大园修司 ,  冈山智彦 ,  小形英之

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592

Abstract: 在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。

公开(公告)号：CN104221122A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380008973.3

申请日：2013-02-13

Applicant: 日新离子机器株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 山本良明 ,  金永杜 ,  带施兴司德 ,  冈山智彦

IPC: H01J37/317 ,  B65G49/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20292 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/6776

Abstract: 离子束照射装置(10)具备：真空槽(14)，其收容对基板(S)进行保持的输送托盘(T)；输送部，其在真空槽(14)内向输送方向输送输送托盘(T)；离子束照射部(21L、21U)，其向真空槽(14)内的预定的照射位置照射离子束；以及位置检测部(23A-23D)，其检测输送托盘(T)的位置。位置检测部(23A-23D)通过输送托盘(T)的输送而在预定的拍摄位置对表示输送托盘(T)上的部位的、沿输送方向排列且彼此不同的多个指标分别进行拍摄，基于所拍摄到的指标来检测出输送托盘(T)相对于拍摄位置的位置。

公开(公告)号：CN101999172B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980112427.8

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置具有：成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间，所述间隔距离可变。

公开(公告)号：CN102576668A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080045522.3

申请日：2010-10-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 甲斐干英 ,  大园修司 ,  冈山智彦 ,  小形英之

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592

Abstract: 在催化CVD装置(100)中，控制部在成膜时前后的规定的时间内，将催化剂丝(13)的温度控制在待机温度。待机温度是低于成膜时催化剂丝(13)的温度且高于室温的规定温度。

公开(公告)号：CN102473609A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026689.5

申请日：2010-07-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  森胜彦 ,  松本浩一 ,  冈山智彦 ,  森冈和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L31/04 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。

公开(公告)号：CN102017168A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980112752.4

申请日：2009-06-03

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67754 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：收容基板的成膜室；以及在该成膜室内对所述基板通过CVD法进行膜形成的电极单元，所述电极单元具有：阳极和阴极；以及侧壁部，所述侧壁部保持该阳极和阴极，构成所述成膜室的壁部的一部分，进一步对于所述成膜室装卸自如。

公开(公告)号：CN101999173A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112428.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行 ,  桥本征典 ,  若松贞次

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67781 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。

公开(公告)号：CN101789358A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910129865.7

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 池田均 ,  冈山智彦 ,  松本浩一 ,  森冈和 ,  目崎芳则

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

Abstract: 提供能够以低成本制造、高效率良好加热处理基板的加热处理装置。该加热处理装置具有真空腔(20)、支持部件(30)和加热装置(40)，所述真空腔(20)具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有贯通孔(24)的多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件(25)的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔(24)的开口部的整个周围连续设置槽部(27)，各腔部件(25)在夹着安装在槽部(27)中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔(24)构成的处理空间(A)；塞住处理空间(A)的壁面部件(22)；以及盖部件(23)，上述支持部件(30)配置在处理空间(A)内、支持基板(S)，上述加热装置(40)用辐射热加热基板(S)。