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公开(公告)号：CN111601910B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201980006855.6
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。
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公开(公告)号：CN113261078B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980087734.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述簇射极板通过贯穿设置在所述簇射极板的周缘部的长孔的支撑部件而被支撑到所述电极框。所述长孔被形成为所述支撑部件对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够在所述长孔内相对移动。在所述长孔中设置有与所述长孔连通并供给吹扫气体的气孔。所述气孔与由所述簇射极板、所述电极凸缘、所述电极框和所述滑动板包围的空间连通。
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公开(公告)号：CN110073484B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880004839.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
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公开(公告)号：CN108885994B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780020497.5
申请日：2017-09-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
Abstract: 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。
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公开(公告)号：CN102017169B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200980112754.3
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32568 , H01L21/67748 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110832624B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。
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公开(公告)号：CN107665845B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201710629887.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供即使没有对手部的末端进行检测也能进行基板的准确的移动的基板搬运机器人。将手部（40）的定位指部（55）以在支承板（41）上配置石英板（42）的方式构成，在石英板（42）的根部部分处，设置被固定于支承板（41）的固定部（50）。石英板（42）的固定部（50）以外的部分未被固定于支承板（41），即使被加热而支承板（41）延伸，石英板（42）也不延伸，不存在被设置于石英板（42）的末端的末端侧限位器（56）由于热膨胀的移动。
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公开(公告)号：CN112563158A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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公开(公告)号：CN110832624A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。
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公开(公告)号：CN109072423A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025519.7
申请日：2017-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。
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