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公开(公告)号：CN111088526A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379938.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多片装载的碳化硅外延生长设备，包括基座，设置在基座上的反应室，设置在反应室左侧的进气机构，设置在反应室右侧的出气机构，设置在反应室底部的加热线圈，可转动地设置在反应室中部的托盘架，以及用于驱动托盘架转动的驱动机构；所述托盘架包括一根竖直的旋转杆，以及多个水平地串接在旋转杆上的石墨托盘；每个石墨托盘上表面均匀设置有多个用于放置衬底的定位凹槽。该碳化硅外延生长设备可一次生产多个外延片且结构紧凑、节能环保。
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公开(公告)号：CN119900079A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510395229.8
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/12 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B25/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01S5/183 , G01N23/20 , G01N21/63 , G01B11/06 , G01B15/02
Abstract: 本申请属于分子束外延设备领域，公开了一种分子束外延设备及垂直腔面激光器生长方法，通过在同一托盘上同时生长正式产品和测试结构，并使用遮挡装置控制测试结构的生长，解决了现有技术中需要单独生长测试结构或复杂处理正式产品的问题，具有节省时间和源料、提高生长参数控制精度、便于问题定位的优点。
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公开(公告)号：CN119403027A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411860137.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H05H1/46
Abstract: 本申请提供了一种等离子源谐振腔调节方法、装置及谐振腔，涉及谐振腔技术领域，其技术方案要点是：获取等离子源谐振腔中调节柱的形状信息和深度信息；根据任务类型，对调节柱的形状信息和深度信息进行调整，以得到在不同的形状信息和深度信息下对应的反射功率数据；获取反射功率最小值或小于目标值时对应的形状信息和深度信息；根据最小值或小于目标值时的反射功率对应的形状信息和深度信息以及任务类型生成关联数据组；当检测出新的任务类型存在对应的关联数据组时，根据对应关联数据组中的形状信息和深度信息对等离子源谐振腔中的调节柱进行调节。本申请提供的一种等离子源谐振腔调节方法、装置及谐振腔具有提高使用效率的优点。
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公开(公告)号：CN119292045A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411822505.6
申请日：2024-12-11
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B13/02
Abstract: 本发明提供了一种钟摆阀压力系统控制方法，涉及真空系统控制技术领域。该钟摆阀压力系统控制方法包括步骤：基于PSOBAS算法获得ADRC控制器的最优控制参数；将最优控制参数输入到ADRC控制器后，通过ADRC控制器获得钟摆阀的开度值；根据开度值控制钟摆阀。本发明的钟摆阀压力系统控制方法解决了现有控制方法无法很好地抑制系统的非线性影响，实现更高精度和更快速的气体压力调节。
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公开(公告)号：CN119249650A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411760486.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种微波远程等离子源结构优化设计分析方法及相关设备，基于数值模拟技术，对微波远程等离子源进行参数化建模，并对其内部的电磁场分布进行精确模拟和分析，从而快速找到最优设计方案；避免了传统设计方法中过度依赖实验验证和经验积累的问题，缩短了设计周期，降低了设计成本，对工程经验依赖小，而且可以针对不同工况条件进行仿真分析以快速找到适应性强、性能优越的设计方案，适应性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119165905A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411673464.9
申请日：2024-11-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种远程等离子源设备胶圈局部降温方法及系统，基于在远程等离子源设备胶圈上沿周向均匀排布的冷却装置和温度传感器，通过从历史数据库提取特征数据组，确立能量损失模型，确定最优特征数据组，并基于实时测量的局部温度进行降温控制，实现了精确的局部温度控制，提高了降温效率，减少了能源浪费，优化了降温效果。
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公开(公告)号：CN118412418B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410824622.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域，本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件，剥离机本体内设有剥离室；暂态板摆放在剥离室底部，暂态板上设有芯片板；定位组件设于暂态板上方，定位组件上设有基座；主动激光扫描组件设于基座底部，主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头；从动激光扫描组件设于基座底部，从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头，第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高，以及提高激光剥离效率。
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公开(公告)号：CN118070563A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117665382B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410136451.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种功率检测电路及功率检测PCB板，涉及功率检测技术领域。本申请通过寄生电容和第一电容进行电容分压得到采样电压信号，根据电流互感器二次侧的感应电流及采样电阻电路得到采样电流信号，从而可以实现采样电压信号和采样电流信号几乎无畸变，且采样电压信号和采样电流信号之间的干扰小，具有很好的独立性，随着功率的变化，采样电流信号和采样电压信号均具有良好的线性度，从而提高功率检测的精准度和可靠性。
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公开(公告)号：CN117459012B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311776504.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种阻抗匹配控制方法及相关设备，通过实时获取射频电源在当前时刻的输出电压信号和输出电流信号，即可计算倒L型匹配器在当前时刻的输入等效阻抗，并根据离化腔室的阻抗和所述射频电源的内阻进行计算，以获取最佳的射频电源的目标输出频率，并得到该目标输出频率对应的第一可调电容的目标电容值和第二可调电容的目标电容值，使得第一可调电容和第二可调电容的调节量最小，对第一可调电容和第二可调电容进行调节的同时对射频电源的输出频率进行调节，以使倒L型匹配器在调节后的输入等效阻抗与射频电源的输出阻抗相匹配，从而减少电机转动的角度，有效节约电机调节的时间，达到快速匹配的目的。
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