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公开(公告)号：CN119276232B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411812436.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种采用VDMOS器件的射频功率放大器及其调试方法，使用VDMOS器件作为功放管，包括从前到后依次连接的射频输入端、功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块、功率合成模块和射频输出端；功放管为VDMOS器件，功分模块、第一阻抗匹配模块、功放模块、第二阻抗匹配模块和功率合成模块中任意相邻的两个模块之间均设置有隔直结构，解决了现有技术中射频功率放大器结构复杂、输出功率低、频率特性差等问题，具有结构精简、输出功率高、频率特性好、跨导高度线性、安全工作区大等优点。
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公开(公告)号：CN119089702A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411555815.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种参数组确定方法、装置及相关设备，涉及空心电感技术领域，其中参数组确定方法包括以下步骤：根据预设电感结构参数组获取符合正交试验表规则的多个网格划分参数组；获取多个第一仿真电感量和多个仿真等效电阻；获取第一优选参数组和第二优选参数组；根据第一优选参数组和第二优选参数组获取最优网格划分参数组。本申请的参数组确定方法能解决现有的空心电感电磁仿真过程难以快速确定对应于准确仿真结果的网格划分参数组，从而难以快速且准确地确定优选的电感结构的问题，能快速确定对应于准确仿真结果的网格划分参数组，从而能快速且准确地确定优选的电感结构。
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公开(公告)号：CN118280699B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410583130.6
申请日：2024-05-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种印制电感及其装配方法，涉及印制电感领域，其中印制电感包括电感本体和两个引脚；电感本体包括：电感基板；线圈，设置在电感基板上，其两端位于电感基板两侧；两个引脚垂直安装在电感基板上，引脚上具有竖向延伸的且与线圈连接的连接线，连接线的水平位置基于线圈的电感量与目标电感量的偏差进行设置。本申请的印制电感能解决现有的多层PCB印制电感的电感量与目标电感量偏差大，电感量精度低导致阻抗匹配效果差的问题，能达到对印制电感的电感量进行精确补偿以更好地进行阻抗匹配的效果。
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公开(公告)号：CN117517777A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410019002.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及阻抗匹配领域，具体而言，涉及一种幅相检测电路和阻抗匹配器，包括：采集转换模块，其输入端与负载端连接，其第一输出端输出第一电压信号，其第二输出端输出第二电压信号；AD8302芯片，其INPA端与第一电压信号连接，其VMAG端输出幅值电压，且其VPHS端输出相位电压；移相模块，第二电压信号通过移相模块与AD8302芯片的INPB端连接，移相模块用于使第二电压信号相移‑90°。本申请的幅相检测电路能解决现有的阻抗匹配方法匹配时间长且匹配精度低的问题，能达到匹配效率高并且匹配精度高的效果。
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公开(公告)号：CN117477196A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311556344.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及合路器电路技术领域，具体公开了一种合路器及射频电源，其中，合路器包括：PCB板，其中部设有合路输出端口以及以合路输出端口为中心圆周阵列的三个或以上的射频输入端口；合路模组，每个射频输入端口均基于一个合路模组与合路输出端口连接；平衡电阻，两两相邻的合路模组之间均设有平衡电阻；该合路器在PCB板上以合路输出端口为中心圆周阵列设置射频输入端口，并通过对应的合路模组连接射频输入端口和合路输出端口，以构成多个输入通路，有效减少了整个合路器的面积，该合路器提高了各个输入通路之间的隔离度，且各个输入通路输入的射频信号的幅值、相位一致性好，有效减少了射频输入端口到合路输出端口的插损及频率偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162743B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN114885456B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210789567.6
申请日：2022-07-06
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B41/36
Abstract: 本申请属于磁控管控制技术领域，公开了一种磁控管灯丝控制电路，包括电压环路、电流环路、光耦、控制芯片和辅助电源；电流环路的输出端连接于光耦的原边，光耦的副边与控制芯片连接；电压环路的输出端与电流环路连接；电压环路用于比较磁控管灯丝的设置电压和采样电压以向电流环路输出调理压差；电流环路用于比较磁控管灯丝的参考电流等效电压和采样电流等效电压以控制光耦的原边的通断；参考电流等效电压为磁控管灯丝的设置电流等效电压与调理压差之和；控制芯片用于根据光耦副边的输出信号调整输出PWM信号以调整磁控管灯丝的功率；使用该磁控管灯丝控制电路有利于保证磁控管灯丝温度稳定。
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公开(公告)号：CN111088526B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911379938.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多片装载的碳化硅外延生长设备，包括基座，设置在基座上的反应室，设置在反应室左侧的进气机构，设置在反应室右侧的出气机构，设置在反应室底部的加热线圈，可转动地设置在反应室中部的托盘架，以及用于驱动托盘架转动的驱动机构；所述托盘架包括一根竖直的旋转杆，以及多个水平地串接在旋转杆上的石墨托盘；每个石墨托盘上表面均匀设置有多个用于放置衬底的定位凹槽。该碳化硅外延生长设备可一次生产多个外延片且结构紧凑、节能环保。
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公开(公告)号：CN111020693B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN111969733A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010751474.5
申请日：2020-07-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种无线能量发射控制装置、方法及系统，所述无线能量发射控制装置包括馈电网络、天线阵列、发射控制器和接收检测模块；所述馈电网络与天线阵列连接，用于为所述天线阵列提供激励源，激励所述天线阵列向外发射电磁波；所述接收检测模块与发射控制器连接，用于接收并检测空间中多个接收点的功率值并输出至发射控制器；所述发射控制器还与馈电网络连接，用于根据多个接收点的功率值调节所述馈电网络的激励参数，进而调节所述天线阵列的发射特性。本发明实施例通过多个接收点反馈的接收功率值实时调节馈电网络的激励参数，进而调节天线阵列的发射特性，使得天线阵列可满足空间中不同接收点的能量需求，提高了无线能量发射装置的灵活性。
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