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公开(公告)号：CN102403231B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110373071.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米压印，定义与先前的镍线条阵列垂直相交的100纳米级线宽的线条阵列，并结合干法刻蚀法制作出纳米线晶体管的沟道区，并在刻蚀出的硅纳米线上生长栅氧，然后自对准地形成多晶硅栅，最后使用接触式光刻定义源漏区域并淀积形成金属电极。本发明所需的图形化工艺条件简单，仅需要十微米级精度的接触式光刻机，以及简单的压印工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出顶栅硅纳米线场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN102403234B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110413439.3
申请日：2011-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN101618852B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910056142.9
申请日：2009-08-07
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。
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公开(公告)号：CN102543690A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004325.8
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。
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公开(公告)号：CN102427024A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110419776.3
申请日：2011-12-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403234A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110413439.3
申请日：2011-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种利用自对准技术制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管的方法。本发明方法首先在Si片上淀积氮化硅/氧化硅/氮化硅叠层掩膜，然后在制作过程中利用氮化硅形成侧墙，实现FINFET源漏栅的电隔离，在制备过程中只采用1次关键光刻技术，利用自对准技术制备FINFET。本发明适用于业界流行的后栅工艺流程（gate-last），适合于大规模生产。
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公开(公告)号：CN101877311B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010213747.7
申请日：2010-06-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb//TiN /栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb//TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN102304327A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110186116.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23F1/28 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明属于微电子工艺中技术领域，具体为一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液。该抛光液包含0-5%比重的氧化剂，0.1-25%的比重的研磨颗粒，0.001-10%比重的螯合剂，0.01-10%比重的抑制剂，以及余量的水。所述抑制剂为2巯基噻唑啉，2巯基苯骈噻唑，或其它噻唑衍生物，或他们之中几种的混合物。所述抛光液pH值范围为3-5。本发明的抛光液所使用抑制剂能同时有效抑制铜和钴的静态腐蚀，降低铜和钴的抛光速率，因而有效降低抛光过后缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN102237304A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110186150.2
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , C23C16/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种抑制多孔低介电常数介质吸入水汽的方法。本发明利用具有一定甲烷(CH4)和氩气(Ar)比例的混合气体等离子体在多孔低K介质表面和侧墙上面沉积一层碳氢层，利用这层碳氢层抑制多孔低K介质在化学机械抛光过程中对水汽的吸入。本发明方法具有简单、方便、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN101350364B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810042500.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/36
Abstract: 本专利属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。
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