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公开(公告)号：CN101882463A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910221812.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种多位铁电存储器及其电压施加方法。本发明利用铁电薄膜材料只有在外电场达到矫顽场时电畴才会发生极化反转的特性，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状铁电薄膜材料，每一阶台阶对应一种厚度，进而分别对应一定的矫顽电压，通过施加不同的外电压来极化反转相应台阶厚度的铁电薄膜。可以在单个存储单元中通过组合不同台阶厚度的铁电薄膜来实现多位数据存储功能。采用本发明方法加工的多位存储器件可以极大地提高存储密度，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101719517A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199045.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L27/095
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。
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公开(公告)号：CN110808307A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910965890.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种基于金属相MoTe2的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法。本发明的制备方法包括：InP衬底上生长n型InP缓冲层；在n型InP层上生长本征InGaAs层；在InGaAs层上淀积SiO2介质层；选择性刻蚀SiO2介质层形成刻蚀孔；将二维金属相MoTe2材料转移并覆盖该刻蚀孔；选择性刻蚀外延材料；在金属相MoTe2和n型InP上沉积金属电极。本发明利用金属相碲化钼与InGaAs材料能够形成肖特基光电二极管，实现快速的光电探测；原子层级的金属相碲化钼具有极好的光学透过性，使光子进入InGaAs层，以增加InGaAs层材料的光吸收；本发明探测器能够实现宽光谱的探测。
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公开(公告)号：CN110451564A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910705361.9
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明属于二维半导体材料技术领域，具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底，在衬底经过清洗之后，将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理，接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼。本发明通过优化衬底硫化处理的温度、时间，制备出高质量的单层二硫化钼单晶及大面积连续薄膜。该方法过程简单，无需价格昂贵的硫化源及生长源。所制备的高质量单层二硫化钼可以用于制备具有更高荧光量子产率、更优异性能的特殊功能的光电子器件和微纳电子器件。
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公开(公告)号：CN108899389A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810628308.9
申请日：2018-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/028
Abstract: 本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本发明一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413833B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310286047.4
申请日：2013-07-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。
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公开(公告)号：CN104897637A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510122167.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于食品安全检测技术领域，具体涉及一种基于拉曼散射的食品农药化肥残留检测装置及检测方法。本发明装置包括光源产生、滤光、样品浓度测量以及数据处理等系统；光源产生系统将固定波长的激光照射到被测液体样品表面，由被测样品表面返回的散射光送至滤光系统；滤光系统可以通过能够表征某一物质的特定波长的散射光，滤除其他波长的散射光；样品浓度测量系统将特定波长的散射光信号转换成相应的数字电信号；数字信号处理系统对数字电信号进行处理，得到相对应的表征某一物质的含量。整个检测系统可以集成在很小的装置中，可以方便、可靠地对蔬菜水果表面残留的化肥农药进行检测。
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公开(公告)号：CN103413833A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310286047.4
申请日：2013-07-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。
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公开(公告)号：CN101764058B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101699617B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910197859.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。
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