公开(公告)号：CN101771088A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010023066.4

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  朴颖华

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法。该二极管包括半导体衬底、该半导体衬底上与其掺杂类型相反的区域A、导体层B，所述半导体衬底与所述区域A接触处形成PN结，所述导体层B同时与所述半导体衬底和所述区域A接触，所述导体层B与所述半导体衬底形成肖特基结，所述导体层B与所述区域A形成欧姆接触。本发明的二极管具有工作电流高、开关速度快、漏电流小、击穿电压高和制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN102130011A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010613768.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66848

Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。

公开(公告)号：CN101764058B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200910247379.5

申请日：2009-12-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  葛亮 ,  张世理 ,  仇志军

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。

公开(公告)号：CN101887917A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010197984.9

申请日：2010-06-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朴颖华 ,  葛亮 ,  吴东平 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7839

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。本发明通过改变离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，并进一步形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。

公开(公告)号：CN101834141A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010162413.1

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朴颖华 ,  吴东平 ,  张世理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。

公开(公告)号：CN101764058A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910247379.5

申请日：2009-12-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  葛亮 ,  张世理 ,  仇志军

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。

公开(公告)号：CN102130011B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201010613768.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66848

Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。

公开(公告)号：CN101834141B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201010162413.1

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朴颖华 ,  吴东平 ,  张世理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。

公开(公告)号：CN102104006A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201110009523.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制备方法，该方法包括如下步骤：提供第一型体衬底，利用光刻和刻蚀的方法形成浅槽，并在浅槽内生长形成二氧化硅浅槽隔离结构；在衬底与浅槽隔离结构的上面进行淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；利用光刻或腐蚀等工艺形成栅极结构；进行第二型体杂质离子注入，形成源漏扩展区；淀积绝缘层，形成紧贴栅极边缘的侧墙；进行第二型体杂质离子注入，形成第二型体场效应晶体管的源漏区，形成源漏区和硅衬底之间的PN结界面；进行微波退火，激活注入的离子。本发明提出的这种新的场效应晶体管的工艺，可以在较低的温度下对源漏区的杂质进行激活，可以减小源漏退火对高K栅介质/金属栅电极的影响。

公开(公告)号：CN101807602A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010132084.6

申请日：2010-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  朴颖华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该不对称型源漏场效应晶体管是指晶体管的源区和漏区之一是由PN结构成而另一个是由PN结和肖特基结组成的混合结构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。