公开(公告)号：CN103413833B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310286047.4

申请日：2013-07-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。

公开(公告)号：CN103413833A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310286047.4

申请日：2013-07-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。

公开(公告)号：CN103413832B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310284206.7

申请日：2013-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN103413832A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310284206.7

申请日：2013-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。