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公开(公告)号：CN110808307A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910965890.2
申请日：2019-10-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种基于金属相MoTe2的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法。本发明的制备方法包括：InP衬底上生长n型InP缓冲层；在n型InP层上生长本征InGaAs层；在InGaAs层上淀积SiO2介质层；选择性刻蚀SiO2介质层形成刻蚀孔；将二维金属相MoTe2材料转移并覆盖该刻蚀孔；选择性刻蚀外延材料；在金属相MoTe2和n型InP上沉积金属电极。本发明利用金属相碲化钼与InGaAs材料能够形成肖特基光电二极管，实现快速的光电探测；原子层级的金属相碲化钼具有极好的光学透过性，使光子进入InGaAs层，以增加InGaAs层材料的光吸收；本发明探测器能够实现宽光谱的探测。
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