公开(公告)号：CN104934536A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510300325.6

申请日：2015-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  张世理 ,  刘冉

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种掺有碳纳米管的有机薄膜存储器。该存储器包括：以硅为衬底栅电极，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层作为栅介质层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个金属电极，两个电极具有一定的间距，在两电极之间淀积一层掺有碳纳米管的有机薄膜作为导电通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底（背栅）施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极在零栅压下的电流大小来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。

公开(公告)号：CN103413832B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310284206.7

申请日：2013-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN103413832A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310284206.7

申请日：2013-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。

公开(公告)号：CN103413833B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310286047.4

申请日：2013-07-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。

公开(公告)号：CN103413833A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310286047.4

申请日：2013-07-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 繁萌 ,  李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  刘冉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。

公开(公告)号：CN101882621A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010186357.5

申请日：2010-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李辉 ,  瞿敏妮 ,  仇志军 ,  吴东平 ,  张世理

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C13/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括：以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度为两电极间距，在此窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底(背栅)施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极的电流来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。