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公开(公告)号：CN102289673B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110169305.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于高光谱遥感图像处理技术领域，具体为一种基于偏最小二乘法的高光谱遥感图像波段选择的方法。本发明利用偏最小二乘法提取成分保留高光谱图像变异信息且与分类信息相关程度高的特点，将光谱矩阵与隶属度矩阵乘积的能量作为选择波段的标准，通过迭代求取已选择波段递归的残差来选择下一组波段，实现波段选择的过程。本发明能有效克服传统多光谱图像波段选择方法计算复杂度高，需要去除相关波段的缺点。高光谱遥感图像分类实验结果表明，高光谱遥感图像使用本发明进行波段后具有良好的分类效果。本发明对于高效利用高光谱图像的信息资源有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101814509A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010148285.5
申请日：2010-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种浮栅非挥发半导体存储器及其制备方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域和漏极区域、隧道绝缘层、第一多晶硅层、阻挡绝缘层、第二多晶硅层和第一金属层。所述源极区域及漏极区域包括由肖特基结和P-N结混合形成的半导体结。本发明所述的浮栅非挥发半导体存储器的编程模式为源极区域热电子注入模式，具有热电子注入效率高、编程电压低、编程速度快、功耗低及源漏泄漏电流小等优点。
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公开(公告)号：CN102289673A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110169305.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于高光谱遥感图像处理技术领域，具体为一种基于偏最小二乘法的高光谱遥感图像波段选择的方法。本发明利用偏最小二乘法提取成分保留高光谱图像变异信息且与分类信息相关程度高的特点，将光谱矩阵与隶属度矩阵乘积的能量作为选择波段的标准，通过迭代求取已选择波段递归的残差来选择下一组波段，实现波段选择的过程。本发明能有效克服传统多光谱图像波段选择方法计算复杂度高，需要去除相关波段的缺点。高光谱遥感图像分类实验结果表明，高光谱遥感图像使用本发明进行波段后具有良好的分类效果。本发明对于高效利用高光谱图像的信息资源有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101777586B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010023067.9
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/80 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66643 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112451022A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011338430.6
申请日：2020-11-25
Applicant: 复旦大学附属华山医院
Abstract: 本发明涉及医疗器械领域，公开了一种颈动脉压迫器，用于辅助病患进行脑血管造影，包括：第一夹持杆；第二夹持杆，一端与第一夹持杆的一端转动连接；绷带，一端安装在第一夹持杆的另一端，另一端安装在二夹持杆的另一端；以及一对压迫组件，相对安装在第一夹持杆以及第二夹持杆上，用于压迫病患的颈动脉。在辅助病患进行脑造影时，颈动脉压迫器套设在病患的颈部，并调整绷带使得压迫组件对病患的颈动脉进行压迫，然后将第一夹持杆以及第二夹持杆插设在扫描床的定位孔内。所以，本发明提供的颈动脉压迫器，能够在脑血管造影时辅助医生压迫劲动脉，提高医生的工作效率，避免医生受到辐射。
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公开(公告)号：CN101764058B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101887917A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010197984.9
申请日：2010-06-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/26586 , H01L21/823814 , H01L29/0847 , H01L29/66477 , H01L29/66643 , H01L29/66659 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。本发明通过改变离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，并进一步形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。
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公开(公告)号：CN101777586A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010023067.9
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/80 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66643 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
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公开(公告)号：CN101764058A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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