公开(公告)号：CN108899389A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810628308.9

申请日：2018-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹高奇 ,  仇志军 ,  丛春晓 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  胡来归 ,  龚海梅

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明属于探测器芯片技术领域，具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟（InP）衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、上金属电极和下金属电极。本发明一方面石墨烯展现良好的半金属特性，与InGaAs层接触能够形成肖特基光电二极管，实现光探测；另一方面石墨烯的光学透过性都极好，能够增加InGaAs层材料的光吸收；此外，InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该InGaAs探测器能够实现紫外至近红外的宽光谱探测。

公开(公告)号：CN108899378A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810628307.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曹高奇 ,  仇志军 ,  丛春晓 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  胡来归 ,  龚海梅

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/112 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明属于是探测器芯片技术领域，具体为一种栅控石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片，在InP衬底之上结构依次为：InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅（SiO2）介质层、石墨烯层、源极金属电极、漏极金属电极以及栅极金属电极；本发明的优点在于：一方面利用栅控界面电场分离光生载流子，并在石墨烯中感应出反型载流子来实现光谱探测；另一方面石墨烯无禁带宽度且其光学透过性极好，因为InGaAs材料能够吸收1.7µm至紫外波段的光，所以该探测器能够实现紫外至近红外波段的探测；此外，由于石墨烯具有高的迁移率和载流子传输特性，使得该探测器拥有较高的量子增益特性。