公开(公告)号：CN117859207A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202180101222.0

申请日：2021-11-26

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 陆叶 ,  万景 ,  吴振华 ,  陈志博 ,  许俊豪 ,  侯朝昭 ,  吴颖 ,  董耀旗 ,  王嘉乐

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请实施例提供了一种晶体管的制备方法、芯片和终端，涉及半导体技术领域，可以在第一掺杂层与第二掺杂层间形成结面清晰的PN结。一种晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶体管包括有源层，所述有源层包括冷源极，所述冷源极的制备方法包括：在衬底上形成半导体层；所述半导体层包括源区，所述源区至少包括第一注入区和与所述第一注入区邻接的第二注入区；对所述半导体层中位于所述第一注入区的部分进行第一类型的掺杂，得到第一掺杂层；对所述半导体层中位于所述第二注入区的部分进行第二类型的掺杂，得到第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层互为P型掺杂和N型掺杂。

公开(公告)号：CN116008357A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211718364.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  唐诗航 ,  熊诗圣

IPC: G01N27/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法。本发明气体传感器制备采用分子自组装技术，包括：准备具有重掺杂的硅衬底层，轻掺杂的外延硅层，再一层重掺杂层；沉积金属层，在金属层表面进行分子自组装工艺，旋涂嵌段共聚物PS/PMMA；经过高温退火，诱导形成纳米孔状结构；刻蚀除去PMMA得到PS纳米结构；转移纳米孔状结构至金属电极层；经刻蚀得到纳米孔结构；除去PS残胶；硅衬底下沉积金属作为导电的阴极金属电极接触。本发明工艺简单、成本较低、操作可控；制备的气体传感器具有规整的高密度栅极沟道，具备更高的气体吸附力，大大提高传感器灵敏度，可用于更小尺寸和更高精密度要求的场合。

公开(公告)号：CN115713057A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211330157.1

申请日：2022-10-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  左王格

IPC: G06F30/36 ,  G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为模拟集成电路设计参数快速自动优化方法。本发明方法包括：定义设计目标；固定电路拓扑结构；定义N个电路器件参数变量并设定范围；定义性能空间P；定义优化目标变量；实际仿真；利用深度神经网络模型进行优化。本发明方法目标导向性强，变化步长连续，优化精度与速度均有大幅提升；深度神经网络能够记忆电路优化经验，对于新的优化目标无需重新从头训练算法；同时可建立电路优化模型库，在不同电脑端实现秒级的直接调用，使得整个设计更加便捷高效。

公开(公告)号：CN112490289B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202011316239.1

申请日：2020-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  包文中 ,  邓嘉男 ,  宗凌逸 ,  刘坚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在3‑5 nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电道的晶体管架构等等一系列优点，大大提升了器件性能。

公开(公告)号：CN114634864A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210182989.7

申请日：2022-02-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  蒋玉龙 ,  王海华

IPC: C12M1/34 ,  C12M1/00 ,  C12Q1/68

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速基因检测装置与方法。本发明快速基因检测装置包括体衬底、氧化埋层、沟道、金属电极、介质层、纳米金颗粒、绝缘层、受体分子、靶标基因和微反应腔。本发明利用静电感应富集的原理进行靶标基因往传感界面的富集，利用静电感应平衡的原理进行测试液体的再平衡；具体为，先在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向上的电场吸引在生理盐水中荷负电的靶标基因，然后在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向下的电场推斥未杂交的靶标基因。本发明可显著缩短反应时间，实现各种基因分子的快速和高灵敏检测。

公开(公告)号：CN112382692A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011110843.9

申请日：2020-10-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  邓嘉男

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于双光电栅极结构的半导体波长探测器及其制备方法。本发明探测器包括：衬底、氧化埋层、源端、漏端、沟道、源端金属接触、漏端金属接触、背栅金属接触、顶部栅极金属接触、上栅极和绝缘栅介质；上栅极使用薄膜材料，且下栅极使用衬底材料，形成两个光电栅极共同控制沟道的耦合结构；两个光电栅极具有不同的掺杂类型和光谱响应。相比于传统波长探测器，本发明探测器结构简单，通过扫描器件的转移曲线即可提取出入射光的波长，不需后续复杂的放大及处理电路；上栅极薄膜材料，提高了器件的波长探测范围；在极微弱的光强下，器件的光电响应度非常高，减小了波长探测误差；制备工艺简单减少了生产成本。

公开(公告)号：CN101135842B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200710047408.4

申请日：2007-10-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  屈新萍 ,  谢申奇 ,  陆冰睿 ,  疏珍 ,  刘冉 ,  陈宜方

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/08

Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。

公开(公告)号：CN118380446A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410390172.8

申请日：2024-04-01

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 万景 ,  曲垚儒 ,  邵华 ,  周利民 ,  雷海波

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电原位有源像素传感器，器件单元结构形成于混合衬底上，混合衬底由SOI衬底和半导体衬底组成。器件单元结构包括MOS晶体管和感光结构。MOS晶体管形成于SOI衬底半导体顶层上，MOS晶体管的沟道区由半导体顶层组成。感光结构包括嵌入式PN二极管，嵌入式PN二极管包括形成于半导体外延层表面区域中的第一导电类型重掺杂的第一电极区以及由第一电极区底部的半导体外延层和半导体顶层组成的第二电极区。MOS晶体管底部的介质埋层底部位置的第一界面作为光生载流子收集端。第一电极区通过接触孔连接到由正面金属层组成的第一电极。本发明还公开了一种光电原位有源像素传感器的制造方法。本发明能扩大耗尽区，增加光生载流子分离和迁移速率。

公开(公告)号：CN116632011A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310564444.7

申请日：2023-05-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  田甜 ,  周鹏 ,  包文中

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于SOI—石墨烯共源共栅电路的高增益异质放大器及其制备方法。本发明益异质放大器包括：衬底、氧化埋层、顶层硅沟道区、氧化层隔离区，以及在沟道区上的栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触，和在氧化层隔离区上的石墨烯沟道区、栅氧化层、栅极、栅极金属接触、源极金属接触、漏极金属接触。本发明在共源共栅电路的基础上采用SOI—石墨烯异质结，器件输入端栅极连接石墨烯，利用石墨烯的高gm，输出端连接SOI晶体管的高输出电阻，以提高输出电阻、提高电压和功率增益；器件工艺成本更低，可应用于射频晶体管。

公开(公告)号：CN115588675A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211152590.0

申请日：2022-09-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘坚 ,  万景 ,  蒋玉龙

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76 ,  H04N25/77 ,  H04N25/78

Abstract: 本发明涉及非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，三个像素有源区，两个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区，以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。