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公开(公告)号：CN114823528A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210237062.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。通过填充混合式鳍状物与半导体鳍状物结构之间的沟槽来形成侧壁间隔物的方法，侧壁间隔物包括被栅极侧壁间隔物部分连接的二个鳍状物侧壁间隔物部分。鳍状物侧壁间隔物部分具有实质上均匀的轮廓以对垂直堆叠的通道层提供均匀的保护并消除内间隔物与侧壁间隔物之间的任何间隙与漏电流。
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公开(公告)号：CN114664737A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210137474.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请公开了具有栅极切割特征的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供具有衬底、第一多个沟道构件、第二多个沟道构件、接合第一多个沟道构件的第一栅极结构、接合第二多个沟道构件的第二栅极结构的工件。沟道构件、设置在第一和第二栅极结构之间的混合鳍、以及设置在混合鳍下方的隔离特征。该方法还包括在工件的前侧形成金属帽盖层。金属帽盖层电连接第一栅极结构与第二栅极结构。该方法还包括蚀刻隔离特征、蚀刻混合鳍、蚀刻金属帽盖层和沉积电介质材料以形成设置在第一和第二栅极结构之间的栅极隔离特征。
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公开(公告)号：CN114639637A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210096337.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法。一种半导体结构包括：布置在衬底上方的半导体层的堆叠；布置在半导体层的堆叠上方并且与其交错的金属栅极结构，金属栅极结构包括布置在栅极介电层上方的栅极电极；布置在半导体层的堆叠的第一侧壁附近的第一隔离结构，其中栅极介电层填充第一隔离结构和半导体层的堆叠的第一侧壁之间的空间；以及布置在半导体层的堆叠的第二侧壁附近的第二隔离结构，其中栅极电极填充第二隔离结构和半导体层的堆叠的第二侧壁之间的空间。
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公开(公告)号：CN114628522A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210054266.9
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括第一层和在第一层上方的填充层。该栅极结构包括形成在栅极结构的填充层上方的保护层，并且保护层通过填充层与第一层分离。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN114628328A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210083536.9
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。根据一个实施例，半导体结构包括：第一纳米结构；第一栅极结构，包裹第一纳米结构中的每个并且设置在隔离结构上方；以及背侧栅极接触件，设置在第一纳米结构下方并且与隔离结构相邻。第一栅极结构的底面与背侧栅极接触件直接接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585549B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201711270130.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 一种在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括：在衬底上形成鳍结构以及在衬底上形成浅沟槽隔离(STI)区域。鳍结构的第一鳍部分和第二鳍部分在STI区域的顶面上方延伸。所述方法还包括对第一鳍部分进行氧化以将第一鳍部分的第一材料转换为第二材料。所述第二材料不同于第一鳍部分的第一材料和第二鳍部分的材料。所述方法还包括在氧化的第一鳍部分和第二鳍部分上形成氧化物层，以及在氧化物层上形成第一多晶硅结构和第二多晶硅结构。本发明的实施例还涉及finFET及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114551355A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210098495.0
申请日：2022-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管包括两个第二源极/漏极部件和第二数量的纳米结构，第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第二源极/漏极部件之间纵向延伸。
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公开(公告)号：CN109427892B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201711190759.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种方法包括蚀刻混合衬底以形成延伸至混合衬底中的凹槽。混合衬底包括具有第一表面取向的第一半导体层、位于第一半导体层上方的介电层以及具有与第一表面取向不同的第二表面取向的第二半导体层。在蚀刻之后，第一半导体层的顶面暴露于凹槽。间隔件形成在凹槽的侧壁上。间隔件接触介电层的侧壁和第二半导体层的侧壁。进行外延以从第一半导体层生长外延半导体区域。去除间隔件。本发明实施例涉及用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案。
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公开(公告)号：CN114334961A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110856333.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括基板；源极/漏极接点，位于基板上；第一介电层，位于源极/漏极接点上；蚀刻停止层，位于第一介电层上；以及源极/漏极导电层，位于蚀刻停止层与第一介电层中。结构还包括间隔物结构，位于蚀刻停止层与第一介电层中。间隔物结构围绕源极/漏极导电层的侧壁，并包括第一间隔物层，包括第一部分；以及第二间隔物层，与第一间隔物层的第一部分相邻。第一间隔物层的第一部分与第二间隔物层隔有气隙。结构还包括密封层。
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公开(公告)号：CN114078953A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111147395.4
申请日：2021-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了半导体结构及其制造方法。示例性制造方法包括：提供工件，该工件包括衬底、衬底上方的隔离部件、穿过隔离部件突出的第一鳍形结构以及穿过隔离部件突出的第二鳍形结构；在第一鳍形结构和第二鳍形结构之间形成介电鳍；以及分别在第一鳍形结构和第二鳍形结构上方形成第一栅极结构和第二栅极结构。示例性制造方法也包括：从工件的背侧蚀刻隔离部件以形成暴露介电鳍的沟槽；从工件的背侧蚀刻介电鳍以形成延伸沟槽；以及在延伸沟槽上方沉积密封层。密封层覆盖第一栅极结构和第二栅极结构之间的气隙。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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