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公开(公告)号：CN110729244A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910635989.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了FinFET图案化方法以用于实现鳍宽度均匀性。示例性方法包括在衬底上方形成心轴层。第一切割去除心轴层的一部分，留下直接邻近伪心轴部件设置的心轴部件。使用心轴部件和伪心轴部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，伪鳍部件与有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距。第二切割去除伪鳍部件的一部分和有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开第二间距的有源鳍。第二间距沿着基本垂直于第一方向的第二方向。第三切割去除伪鳍，形成鳍开口。用介电材料填充鳍开口，以形成介电鳍。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114883325A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210235506.5
申请日：2022-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及集成电路器件及其制造方法。本文公开的栅极隔离技术形成了栅极隔离鳍，以在形成多栅极器件之前，并且具体而言在形成多栅极器件的金属栅极之前，将多栅极器件的金属栅极彼此隔离。一种示例性器件包括：第一多栅极器件，具有第一源极/漏极特征和围绕第一沟道层的第一金属栅极；和第二多栅极器件，具有第二源极/漏极特征和围绕第二沟道层的第二金属栅极。将第一金属栅极和第二金属栅极分隔开的栅极隔离鳍包括电介质特征，该电介质特征具有：具有第一介电常数的第一电介质层(例如，低k电介质核心)，以及围绕所述第一电介质层的第二电介质层(例如，高k电介质外壳)。第二电介质层具有大于第一介电常数的第二介电常数。
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公开(公告)号：CN112420614A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851257.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成突出的半导体条带；在所述半导体条带之间形成隔离区；在所述隔离区上形成混合鳍部，所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体条带上方形成伪栅极结构；在所述半导体条带上方和所述伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区；在所述伪栅极结构下方形成纳米线，其中，所述纳米线位于相应的半导体条带上方并且与所述相应的半导体条带对齐，并且所述源极/漏极区位于所述纳米线的相对端，其中，与所述纳米线相比，所述混合鳍部从所述衬底延伸得更远；在形成所述纳米线之后，减小所述混合鳍部的中心部分的宽度，同时保持所述混合鳍部的端部的宽度不变，以及在所述纳米线周围形成导电材料。本申请另一方面提供一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN114639637A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210096337.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及隔离结构和在场效应晶体管中形成该结构的方法。一种半导体结构包括：布置在衬底上方的半导体层的堆叠；布置在半导体层的堆叠上方并且与其交错的金属栅极结构，金属栅极结构包括布置在栅极介电层上方的栅极电极；布置在半导体层的堆叠的第一侧壁附近的第一隔离结构，其中栅极介电层填充第一隔离结构和半导体层的堆叠的第一侧壁之间的空间；以及布置在半导体层的堆叠的第二侧壁附近的第二隔离结构，其中栅极电极填充第二隔离结构和半导体层的堆叠的第二侧壁之间的空间。
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公开(公告)号：CN110729244B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910635989.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了FinFET图案化方法以用于实现鳍宽度均匀性。示例性方法包括在衬底上方形成心轴层。第一切割去除心轴层的一部分，留下直接邻近伪心轴部件设置的心轴部件。使用心轴部件和伪心轴部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，伪鳍部件与有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距。第二切割去除伪鳍部件的一部分和有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开第二间距的有源鳍。第二间距沿着基本垂直于第一方向的第二方向。第三切割去除伪鳍，形成鳍开口。用介电材料填充鳍开口，以形成介电鳍。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582402A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010398424.3
申请日：2020-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种制造器件的方法，包括在第一器件类型区域中提供第一鳍并且在第二器件类型区域中提供第二鳍。第一鳍和第二鳍中的每个包括多个半导体沟道层。在第一鳍和第二鳍中的每个的相对侧上执行STI区域的两步凹陷，以暴露出第一鳍的第一数量的半导体沟道层和第二鳍的第二数量的半导体沟道层。第一栅极结构形成在第一器件类型区域中，并且第二栅极结构形成在第二器件类型区域中。第一栅极结构形成在具有第一数量的暴露的半导体沟道层的第一鳍上方，并且第二栅极结构形成在具有第二数量的暴露的半导体沟道层的第二鳍上方。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN108122778A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711217841.8
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上沉积第一材料；在所述衬底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隔壁材料；以及使用所述间隔壁材料作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
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公开(公告)号：CN112582402B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010398424.3
申请日：2020-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种制造器件的方法，包括在第一器件类型区域中提供第一鳍并且在第二器件类型区域中提供第二鳍。第一鳍和第二鳍中的每个包括多个半导体沟道层。在第一鳍和第二鳍中的每个的相对侧上执行STI区域的两步凹陷，以暴露出第一鳍的第一数量的半导体沟道层和第二鳍的第二数量的半导体沟道层。第一栅极结构形成在第一器件类型区域中，并且第二栅极结构形成在第二器件类型区域中。第一栅极结构形成在具有第一数量的暴露的半导体沟道层的第一鳍上方，并且第二栅极结构形成在具有第二数量的暴露的半导体沟道层的第二鳍上方。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112420614B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010851257.3
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成突出的半导体条带；在所述半导体条带之间形成隔离区；在所述隔离区上形成混合鳍部，所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体条带上方形成伪栅极结构；在所述半导体条带上方和所述伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区；在所述伪栅极结构下方形成纳米线，其中，所述纳米线位于相应的半导体条带上方并且与所述相应的半导体条带对齐，并且所述源极/漏极区位于所述纳米线的相对端，其中，与所述纳米线相比，所述混合鳍部从所述衬底延伸得更远；在形成所述纳米线之后，减小所述混合鳍部的中心部分的宽度，同时保持所述混合鳍部的端部的宽度不变，以及在所述纳米线周围形成导电材料。本申请另一方面提供一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN115241186A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210358148.7
申请日：2022-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , B82Y10/00
Abstract: 本公开涉及具有电介质特征的半导体结构及其制造方法。提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底之上的纳米结构。半导体结构还包括围绕纳米结构的栅极结构和将栅极结构划分为第一部分和第二部分的第一电介质特征。半导体结构还包括形成在栅极结构之上的金属层。此外，栅极结构的第一部分的顶表面、栅极结构的第二部分的顶表面、以及第一电介质特征的顶表面被金属层覆盖。
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