公开(公告)号：CN116159583A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310176332.4

申请日：2023-02-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  靳昊坤 ,  刘晖

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C01B21/082

Abstract: 一种混合酸处理三聚氰胺制备g‑C3N4光催化剂的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：1)取质量体积比范围为150g/L～252g/L的三聚氰胺和水混合获得混悬液Ⅰ，2)将混合酸中的第一种酸与混悬液Ⅰ混合后搅拌20min～60min，重复该步骤至混合酸中的全部酸加入并完成混合搅拌后获得混悬液Ⅱ；将混悬液Ⅱ干燥，研磨，获得改性三聚氰胺，所述混合酸选自硝酸、硫酸、磷酸中的至少两种；3)将步骤2)获得的改性三聚氰胺放入坩埚后置于加热装置中，隔绝空气加热，以4℃/min～5℃/min的升温速度升至500℃～550℃并维持3.5h～5h，待自然冷却至室温后取出并研磨，获得改性的g‑C3N4光催化剂。

公开(公告)号：CN110129736B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910369713.8

申请日：2019-04-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  郑灵程 ,  刘晖

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及一种Fe/C60颗粒薄膜霍尔器件材料及其制备方法。该霍尔器件材料为纳米金属Fe颗粒随机分布于有机半导体C60母体中构成的Fe/C60复合薄膜，薄膜采用共蒸发的方法制备，制备过程中通过调控Fe和C60蒸发源的输入电流来改变Fe和C60的体积比，通过改变沉积时间来调控颗粒薄膜的厚度。该方法制备出的Fe/C60颗粒薄膜具有很高的反常霍尔电阻率和反常霍尔系数，反常霍尔电阻率的温度稳定性好。

公开(公告)号：CN110783533A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911069350.2

申请日：2019-11-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 王维华 ,  吴茂坤 ,  卢峰 ,  刘晖 ,  程雅慧 ,  王卫超 ,  董红

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/38

Abstract: 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法，所述的金属卤化物为MX3，所述的金属电极为碱金属电极或碱土金属电极，其特征在于，用二维材料MX3为保护层，对金属电极进行保护，所述保护层嵌入金属电极表面。

公开(公告)号：CN109273594A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811035926.9

申请日：2018-09-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  郑灵程 ,  刘晖

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料及其制备方法。该新型磁电阻材料在制备过程中采用旋涂与磁控溅射相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有的薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的颗粒薄膜具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN105879887B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201610382030.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖

IPC: B01J27/10 ,  B01J37/03 ,  B01J37/16

Abstract: 一种Cu2O@Cu/AgBr复合光催化剂及其制备方法，其特征在于所述复合光催化剂的制备方法包括以下步骤：1)首先采用液相还原的方法制备Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒，所述Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒中，Cu单质的质量百分比含量为0.5％～50％；2)采用液相沉淀法在将AgBr沉淀于步骤1)得到的Cu2O@Cu核壳结构纳米颗粒表面，得到Cu2O@Cu/AgBr复合光催化剂，其中Ag元素与Cu元素的摩尔比为1:0.1～20。

公开(公告)号：CN102923755B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210426115.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  刘晖 ,  于国军 ,  王维华 ,  罗晓光 ,  解新建

IPC: B01J13/02

Abstract: 一种制备Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，特别是一种在水溶液中原位一步合成Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，该方法简单易行，原料成本低，实验反应条件温和，合成速度快，尤其是，在合成过程中不引入表面活性剂以及强还原剂，保证了制备出的材料具有均匀的形貌和优良的性质。

公开(公告)号：CN103341624A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310296659.1

申请日：2013-07-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 王维华 ,  解新建 ,  程雅慧 ,  李好博 ,  刘晖

IPC: B22F1/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种制备Cu-Cu2O核壳铁磁性纳米颗粒的方法，其特征在于采用磁控溅射的方法制备一种具有特殊结构的纳米颗粒，其中Cu颗粒作为核，它的周围被Cu2O所包裹形成壳体，该结构具有室温铁磁性。易于工业化生产。

公开(公告)号：CN101345287B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810151233.6

申请日：2008-09-03

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  程雅慧 ,  张晓 ,  李鲁艳 ,  王维华 ,  罗晓光

IPC: H01L43/12

Abstract: 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。

公开(公告)号：CN100409379C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610013055.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  王健 ,  王雅欣 ,  孙云 ,  张德贤 ,  李养贤 ,  李志青

IPC: H01F10/20 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。

公开(公告)号：CN100387751C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510122237.8

申请日：2005-12-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  李志青 ,  张德贤 ,  王雅欣 ,  王健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。