公开(公告)号：CN102923755A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210426115.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  刘晖 ,  于国军 ,  王维华 ,  罗晓光 ,  解新建

IPC: C01G3/02 ,  C01B33/12 ,  B01J13/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种制备Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，特别是一种在水溶液中原位一步合成Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，该方法简单易行，原料成本低，实验反应条件温和，合成速度快，尤其是，在合成过程中不引入表面活性剂以及强还原剂，保证了制备出的材料具有均匀的形貌和优良的性质。

公开(公告)号：CN102923755B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201210426115.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  刘晖 ,  于国军 ,  王维华 ,  罗晓光 ,  解新建

IPC: B01J13/02

Abstract: 一种制备Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，特别是一种在水溶液中原位一步合成Cu2O/SiO2核/壳结构纳米材料的方法，该方法简单易行，原料成本低，实验反应条件温和，合成速度快，尤其是，在合成过程中不引入表面活性剂以及强还原剂，保证了制备出的材料具有均匀的形貌和优良的性质。

公开(公告)号：CN101345287B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810151233.6

申请日：2008-09-03

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  程雅慧 ,  张晓 ,  李鲁艳 ,  王维华 ,  罗晓光

IPC: H01L43/12

Abstract: 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。

公开(公告)号：CN101789488B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201010123102.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  李鲁艳 ,  罗晓光 ,  刘晖

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L43/06

Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101789488A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010123102.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  李鲁艳 ,  罗晓光 ,  刘晖

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L43/06

Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101345287A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810151233.6

申请日：2008-09-03

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  程雅慧 ,  张晓 ,  李鲁艳 ,  王维华 ,  罗晓光

IPC: H01L43/12

Abstract: 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。