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公开(公告)号：CN109972108A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910298372.X
申请日：2019-04-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构陶瓷涂层及其原位制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：1.对基体进行预处理，然后通过PVD在真空室中通入反应性气体，在基体表面形成陶瓷涂层；2.通过离子注入在陶瓷涂层表面均匀地向陶瓷涂层中注入金属元素，得到金属离子注入层，所述金属元素与陶瓷涂层中金属元素中的主要成分相同，并通过退火形成氮化物或氧化物，原位生成所述纳米结构陶瓷涂层。该技术可操作性强、可控性好，可以通过控制离子注入层的厚度控制纳米结构的形状，并控制其疏水性能，技术可实现性强，适用于Zn等金属薄膜在氧化或者氮化过程中出现体积收缩的材料。
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公开(公告)号：CN119082684B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN119082684A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN119040988A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411263977.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种铝合金表面耐氟腐蚀微弧氧化涂层的制备方法，包括以下步骤：在铝合金基体的表面形成钝化膜；冲洗并干燥；在钝化膜的表面形成耐氟腐蚀微弧氧化涂层。本发明采用两步微弧氧化法，第一步微弧氧化在铝合金表面形成一层钝化膜，通过钝化膜避免高电导率掺杂Y3+电解液中无法起弧导致微弧氧化失败；第二步微弧氧化通过在电解液中掺杂Y3+，以影响涂层的等离子体放电的效率，减小涂层氧空位的形成，从而形成更稳定的电子和离子传输放电通道，提高MAO涂层表面致密度，减小缺陷裂纹，同时，钇掺杂改变MAO氧化铝的表面结构，且腐蚀产物具有更高的失配程度及界面稳定性，从而提高MAO涂层在氟环境下的抗腐蚀性，且具有良好的耐磨损性能。
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公开(公告)号：CN118147578B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311827538.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114883164B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210417735.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。
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公开(公告)号：CN118147578A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311827538.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN115968124A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202210228991.3
申请日：2022-07-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H05K3/28
Abstract: 本发明提供了利用氮化铝制备电路板防护层的装置及其工艺，包括底座，所述底座的一端设有电路板定位机构，所述电路板定位机构的一侧、所述底座的中部设有流延加注机构，所述流延加注机构的一端设于注射机构的输出端，所述注射机构固定连接于所述底座的另一端，该发明通过注射机构将真空除泡后的流延浆料宋哲软管送入流延加注针管中，在流延加注机构的滑动控制下将流延浆料均匀地铺设在电路板表面，并且在电路板定位机构的夹持中流延浆料不会流至电路板的另一面，减少了物料的浪费，提高了流延质量，大大方便了下一步的工序。
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公开(公告)号：CN114883164A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210417735.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。
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公开(公告)号：CN110079779A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910298530.1
申请日：2019-04-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能陶瓷涂层及其制备方法与应用，所述制备方法主要针对陶瓷涂层的传统镀制方法存在的材料可控性差、膜基结合强度低、难以在复杂的工件表面形成均匀涂层的问题，提出使用金属离子注入与气体离子渗相结合的复合技术进行制备。具体包括以下步骤：（1）对基体进行预处理，然后采用金属离子注入在基体表面注入金属离子，形成金属涂层；（2）通过气体离子渗在步骤（1）的金属涂层表面渗入N、C或O离子，原位生成所述高性能陶瓷涂层。通过此方法制备的陶瓷涂层与基底的结合强度高，涂层成分可控，基材适用性广，且能够在复杂的工件表面均匀沉积。
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