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公开(公告)号：CN118308699B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410423728.9
申请日：2024-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种超低应力金属薄膜的制备方法，包括以下步骤：将超声清洗干燥后的非金属基底放入磁控溅射镀膜机的样品台上，进行等离子体清洗；在等离子体清洗后的非金属基底的表面上，通过第一阴极电源沉积多层厚度相同的单金属过渡层，以得到预设厚度的金属过渡层；在金属过渡层的表面上，通过第二阴极电源沉积多层单金属膜层，以得到预设厚度的金属薄膜，且相邻的三层单金属膜层中，有两层单金属膜层采用的溅射功率相等。本发明通过将金属过渡层设计为多层纳米单金属过渡层，可以降低非金属基底与金属过渡层界面处的残余应力梯度，从而增强界面处的相互作用，通过混合功率将金属薄膜设计为多层纳米单金属膜层，可以分散金属薄膜的热应力变形，有效降低金属薄膜的残余应力，从而实现残余应力的可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1975618A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610123997.5
申请日：2006-12-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05B19/418 , G05B19/05 , B21D3/00
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明涉及一种智能工件矫正系统及其矫正方法，包括工作台、PC机、控制器、打击锤，所述工作台一端设置有信号采集装置，所述信号采集装置包括相互连接的扫描装置和处理器，PC机与所述信号采集装置的处理器连接，控制器包括相互连接的执行机构和处理单元，控制器的处理单元与所述PC机连接，所述控制器的执行机构连接打击锤。本系统采用自动化加工，解决了短棒材以及面向中小企业的一些特定棒型工件的矫正问题，提高了生产效率，并且本系统在最大程度上减少了工件的矫正次数，消除了各种不必要的加工误差；另一方面，改变了由工人现场作业的传统工作方式，实现了对变形工件的远程监控，有效的隔离了噪音等恶劣因素对人体的损害。
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公开(公告)号：CN118308699A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410423728.9
申请日：2024-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种超低应力金属薄膜的制备方法，包括以下步骤：将超声清洗干燥后的非金属基底放入磁控溅射镀膜机的样品台上，进行等离子体清洗；在等离子体清洗后的非金属基底的表面上，通过第一阴极电源沉积多层厚度相同的单金属过渡层，以得到预设厚度的金属过渡层；在金属过渡层的表面上，通过第二阴极电源沉积多层单金属膜层，以得到预设厚度的金属薄膜，且相邻的三层单金属膜层中，有两层单金属膜层采用的溅射功率相等。本发明通过将金属过渡层设计为多层纳米单金属过渡层，可以降低非金属基底与金属过渡层界面处的残余应力梯度，从而增强界面处的相互作用，通过混合功率将金属薄膜设计为多层纳米单金属膜层，可以分散金属薄膜的热应力变形，有效降低金属薄膜的残余应力，从而实现残余应力的可控性。
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公开(公告)号：CN114883164B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210417735.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。
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公开(公告)号：CN114883164A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210417735.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。
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公开(公告)号：CN200976107Y
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200620154161.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05B19/418 , B21D3/00
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本实用新型涉及一种智能工件矫正系统，包括工作台、PC机、控制器、打击锤，所述工作台一端设置有信号采集装置，所述信号采集装置包括相互连接的扫描装置和处理器，PC机与所述信号采集装置的处理器连接，控制器包括相互连接的执行机构和处理单元，控制器的处理单元与所述PC机连接，所述控制器的执行机构连接打击锤。本系统采用自动化加工，解决了短棒材以及面向中小企业的一些特定棒型工件的矫正问题，提高了生产效率，并且本系统在最大程度上减少了工件的矫正次数，消除了各种不必要的加工误差；另一方面，改变了由工人现场作业的传统工作方式，实现了对变形工件的远程监控，有效的隔离了噪音等恶劣因素对人体的损害。
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