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公开(公告)号：CN119615062A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411878116.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 华南理工大学 , 广东钇芯微半导体技术有限公司
Abstract: 一种具有自修复性能的铜基氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：将采用脉冲直流磁控溅射方式在无氧铜基体表面溅射沉积形成氧化钇涂层；将含有氧化钇涂层的无氧铜基体传输至冷却室内，进行静置冷形成涂层基体；将涂层基体送入管式炉内，并向管式炉内通入氩氢混合保护气体，进行高温退火后随炉冷却，以形成自修复性能的铜基氧化钇涂层。本发明自修复性能的铜基氧化钇涂层在开裂后，基底的无氧铜与环境中的氧原子结合生成的氧化铜填补裂缝，形成“镶嵌式”涂层结构，实现了涂层的自修复，阻止了氧化钇涂层的进一步开裂，裂纹处的氧化铜保护层可以有效防止氧气继续渗透到涂层下层和基底，从而减缓涂层的进一步氧化和损伤，提高涂层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119320930A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411487651.8
申请日：2024-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种耐热冲击氧化铝涂层的制备方法，包括以下步骤：将经过气体离子源轰击清洗后的无氧铜基体送入第一镀膜工艺腔室内，采用双靶材通过脉冲直流磁控溅射方式进行同步溅射，以在无氧铜基体表面形成从纯镍层过渡到纯铬层的镍、铬复合梯度过渡层；将表面沉积镍、铬复合梯度过渡层的无氧铜基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度；将冷却后的表面沉积镍、铬复合梯度过渡层的无氧铜基体传输至第二镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式进行溅射，以在镍、铬复合梯度过渡层的表面沉积形成氧化铝涂层。本发明通过在无氧铜基体的表面沉积由纯镍层过渡到纯铬层的复合梯度过渡层，减小了无氧铜基体与氧化铝涂层之间热膨胀系数的变化梯度，降低了在温度升降过程中二者在交界面处的热应力累积，从而提升氧化铝涂层的耐热冲击性能。
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公开(公告)号：CN119082684B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN119082684A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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