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公开(公告)号：CN117265480B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311432105.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种低粗糙度氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤S10，将经过气体离子源轰击清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入第一镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积形成非晶态氧化铝过渡层；步骤S11，将含有非晶态氧化铝过渡层的高纯烧结氧化铝基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度；步骤S12，将冷却后的高纯烧结氧化铝基体传输至第二镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在非晶态氧化铝过渡层的表面沉积形成氧化钇涂层。本发明通过在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积非晶态氧化铝过渡层，以降低高纯烧结氧化铝基体的表面粗糙度，使得后续沉积的氧化钇涂层的表面粗糙度降低，从而提高氧化钇涂层的耐等离子体刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN117265480A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311432105.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种低粗糙度氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤S10，将经过气体离子源轰击清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入第一镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积形成非晶态氧化铝过渡层；步骤S11，将含有非晶态氧化铝过渡层的高纯烧结氧化铝基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度；步骤S12，将冷却后的高纯烧结氧化铝基体传输至第二镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在非晶态氧化铝过渡层的表面沉积形成氧化钇涂层。本发明通过在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积非晶态氧化铝过渡层，以降低高纯烧结氧化铝基体的表面粗糙度，使得后续沉积的氧化钇涂层的表面粗糙度降低，从而提高氧化钇涂层的耐等离子体刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN118147578B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311827538.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN118147578A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311827538.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。
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