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公开(公告)号：CN107705884A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710785173.2
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01B5/14 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01B13/0016
Abstract: 本发明属于电极材料技术领域，公开了一种基于银纳米线的透明导电纸及其制备方法。所述制备方法为：将木质纤维素纤维在氧化体系及碱性条件下均质氧化处理，得到纤维素纳米纤维悬浮液，将悬浮液成膜，干燥，得到纳米纸；然后将银纳米线的异丙醇溶液涂覆到纳米纸上，干燥，得到银纳米线透明导电薄膜；最后将所得薄膜进行退火处理，得到基于银纳米线的透明导电纸。本发明采用纳米纸作为基底，然后涂覆银纳米线溶液，可以得到方阻值为50Ω/□左右和光透过率为70％左右的银纳米线透明导电纸。
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公开(公告)号：CN107425049A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710367112.4
申请日：2017-05-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管及制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。本发明采用非连续的类岛状TCO薄膜能够有效降低其导电性，而低载流子的薄膜连接两个相邻TCO薄膜，使电子能够在相邻晶粒间有效传输并且维持一个理想的关态电流。
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公开(公告)号：CN107170831A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710447559.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L29/78603 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法。所述纳米纸衬底薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。其制备方法为：在硬质衬底上旋涂纳米纤维素溶液，制备纳米纸衬底，然后依次通过射频磁控溅射室温制备缓冲层，通过直流磁控溅射室温制备栅极，通过射频磁控溅射室温制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上室温沉积制备有源层，再通过真空蒸发镀膜室温制备源/漏电极，得到所述纳米纸衬底薄膜晶体管。本发明采用纳米纸衬底并使用真空沉积技术室温下制备，制备方法简单、绿色环保。所得薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性的优点。
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公开(公告)号：CN104482498B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410628528.3
申请日：2014-11-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了地下停车库的太阳光平板灯系统，包括采光系统、导光系统和出光系统，所述出光系统包括背板、导光板和扩散板，导光板设置在背板与扩散板之间，所述导光板的侧部安装有光源，作为出光系统的侧入式光源，所述采光系统通过导光系统连接出光系统，太阳光经过采光系统聚集后通过导光系统传送到出光系统中；导光系统输入光的一端与采光系统的输出光的一端连接，导光系统输出光的一端连接背板底面并且接入到出光系统，输出的光穿过背板底面作为出光系统的直入式光源。本发明将太阳光光源和用电光源相结合，在白天时通过太阳光进行照明，在夜晚时通过用电光源进行照明，具有节能环保以及光照均匀度高的优点。
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公开(公告)号：CN207516241U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201721502872.3
申请日：2017-11-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 本实用新型属于薄膜材料分析领域，公开了一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具。所述夹具由玻璃片、玻璃片上的金属衬底和金属衬底上的双面胶构成。本实用新型以一种简单的样品夹具，解决了小尺寸薄膜样品在使用岛津傅立叶红外光谱测试中遇到的样品掉落、信号弱的问题，且通过在玻璃衬底上镀一层金属膜来增强样品的测试强度，具有很强的实用性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207217551U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721070207.1
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/44
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。本实用新型中通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207834308U
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201820126685.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。本实用新型的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217549U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201720690662.5
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型属于显示器件技术领域，公开了一种纳米纸衬底薄膜晶体管。所述纳米纸衬底薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、纳米纸衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成。本实用新型采用纳米纸衬底，纳米纸具有容易降解、成本低、透明度好和可再生等特点，是非常环保的绿色衬底。纳米纸衬底薄膜晶体管能够在室温下制备，不需要热处理，具有高的迁移率，能够满足目前显示面板的要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206834182U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201720576037.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。本实用新型采用非连续的类岛状TCO薄膜能够有效降低其导电性，而低载流子的薄膜连接两个相邻TCO薄膜，使电子能够在相邻晶粒间有效传输并且维持一个理想的关态电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207517697U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201720913631.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
Abstract: 本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；在本实用新型的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本实用新型的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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