公开(公告)号：CN108878265A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810714565.4

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  冯玉霞 ,  张智宏 ,  刘开辉 ,  张洁 ,  许福军 ,  王新强 ,  唐宁

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。

公开(公告)号：CN108493306A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810257196.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  李诚诚 ,  陈志忠 ,  焦飞 ,  冯玉龙 ,  詹景麟 ,  于彤军 ,  沈波

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种高压高功率GaN基LED阵列芯片的制备方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。本发明一方面可实现单颗LED芯片的高压高功率特性,另一方面避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，降低了对封装设备和工艺的要求。利用本发明可以大幅度提高微米LED的器件性能。对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。

公开(公告)号：CN105428448B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510751121.4

申请日：2015-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  盛博文 ,  荣新 ,  王平 ,  唐宁 ,  郑显通 ,  马定宇 ,  荀坤 ,  沈波

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。

公开(公告)号：CN107083539A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710239962.6

申请日：2017-04-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张立胜 ,  王明星 ,  解楠 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  王新强

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明实施例公开了一种AlN外延薄膜制备方法。方法包括：S1、采用溅射法在衬底沉积AlN成核层；S2、采用MOCVD生长方法，在所述AIN成核层上，外延生长AIN模板；S3、采用低温、高温循环交替的方法，继续生长AIN薄膜。本发明实施例首先采用溅射法溅射一层AlN，然后在MOCVD中采用温度调制生长的方法生长AlN薄膜，与现有技术相比，能制备出的原子级表面平整、低位错密度AlN薄膜。

公开(公告)号：CN106680252A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611055447.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  王新强 ,  孙萧萧 ,  盛博文 ,  李沫 ,  张健 ,  沈波

IPC: G01N21/64

CPC classification number: G01N21/6428 ,  G01N2021/6439

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括：纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁；本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸，通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸；固定温度退火过程，保证核‑壳结构中的纳米线完全分解，并不破坏限制于纳米管内壁和纳米管外壁之间的量子结构；纳米管的荧光标记部分采用半导体量子结构，具有荧光强度高，持续时间长，光化学性质稳定，不易发生光漂白，高效率辐射复合；并且，可以采用连续宽谱激发，吸收系数大，荧光发射峰窄，无波长拖尾，可辨识度高；纳米管结构既可实现管内的运载物的荧光标记运载，还能进行传统的包裹式或结合式荧光标记运载。

公开(公告)号：CN106586944A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611064839.7

申请日：2016-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 袁竹君 ,  王新强 ,  王平 ,  盛博文 ,  李沫 ,  张健 ,  沈波

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/13

CPC classification number: B81B7/00 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02104 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层，获得多种二维通道结构，适用材料范围广；各层的间距精确可控，二维通道结构设计约束少，适用众多图案；适合工业化生产，图案精度高且适用于多种工业化生产方法，制作方法简单，成本低，用途广泛；工艺约束小，适合多种工艺；可以在隔离层上设计电路，通过外接电源或电信号或光源，或通过调制不同入口压强，控制离子或分子走向，达到能量转换或药物合成等目的；图案配合适当的探测手段(如拉曼光谱，荧光谱等)能有效实现单分子探测或其他生物探测及化学探测，可配合的系统广泛。

公开(公告)号：CN104409556B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410738690.0

申请日：2014-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  陈广 ,  郑显通 ,  王平 ,  许福军 ,  张国义

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105466970A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510921283.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  胡安琪 ,  郭磊 ,  程建朋 ,  张洁

IPC: G01N27/00 ,  G01R31/26 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN105428448A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510751121.4

申请日：2015-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  盛博文 ,  荣新 ,  王平 ,  唐宁 ,  郑显通 ,  马定宇 ,  荀坤 ,  沈波

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。

公开(公告)号：CN104392909A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410542286.6

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  秦志新 ,  王嘉铭 ,  张立胜 ,  何晨光 ,  杨志坚

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种AlN外延薄膜生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)生长AlN；S5、以低V/III比生长AlN；S6、依次、多次重复执行步骤S4、S5。本发明提供的方法是通过采用高低V/III比，交替生长的多层结构来实现低位错密度、无裂纹和表面平整的AlN外延薄膜的制备。