公开(公告)号：CN104319234B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410542542.1

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  秦志新 ,  王嘉铭 ,  张立胜 ,  何晨光 ,  杨志坚

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失，以获得表面平整的AlN表面。本发明提供了一种生长低位错密度和表面平整的高晶体质量AlN外延层的方法。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

公开(公告)号：CN104319234A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410542542.1

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  秦志新 ,  王嘉铭 ,  张立胜 ,  何晨光 ,  杨志坚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失，以获得表面平整的AlN表面。本发明提供了一种生长低位错密度和表面平整的高晶体质量AlN外延层的方法。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

公开(公告)号：CN104392909A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410542286.6

申请日：2014-10-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  秦志新 ,  王嘉铭 ,  张立胜 ,  何晨光 ,  杨志坚

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种AlN外延薄膜生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)生长AlN；S5、以低V/III比生长AlN；S6、依次、多次重复执行步骤S4、S5。本发明提供的方法是通过采用高低V/III比，交替生长的多层结构来实现低位错密度、无裂纹和表面平整的AlN外延薄膜的制备。