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公开(公告)号：CN103903961A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410145622.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
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公开(公告)号：CN102709332A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210153652.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H03K19/08
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
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公开(公告)号：CN102646575A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210113193.2
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅表面图形加工的方法，属于集成电路表面加工技术领域。该方法包括：在二氧化硅衬底上形成图形化的石墨烯层，并在石墨烯层上再沉积一层二氧化硅薄膜，随后用氢氟酸溶液刻蚀掉二氧化硅薄膜，即可在二氧化硅衬底上形成形状与石墨烯相同的刻蚀图案。本发明利用石墨烯增强刻蚀特性，在室温下在二氧化硅表面形成图形，其形状取决于石墨烯的形状；图形的位置可通过预先调整石墨烯的位置来控制，图形的边缘展宽和深度可通过控制刻蚀时间和石墨烯的层数来控制。本发明技术与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、低成本的二氧化硅表面图形的加工。
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公开(公告)号：CN118431265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517088.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属纳米间隙的原子尺度栅控开关器件的实现方法，属于纳电子学领域。本发明利用金属纳米间隙和悬空桥制备原子尺度的可栅控开关器件，再采用半导体参数分析仪及脉冲发生器，通过调控栅压的正负实现器件的导通和断开。本发明不需要使用电解质，便于制备和集成。
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公开(公告)号：CN117529213A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311514010.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达40％的磁隧道结，从而得到纳米或者原子尺度自旋阀。本发明提出的制备方法可以有效控制原子接触点的接触宽度，相较于现有技术，本发明减小了自旋阀结构的复杂性，并且在一定程度上降低了器件功耗。本发明制备方法简单，磁隧道结的磁阻较大，并且与传统的CMOS工艺兼容，为后续器件的集成提供了有利条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420330A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311213573.8
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米材料表面凸起物的制备方法，属于纳电子学领域。本发明将金属纳米线或纳米带先预制成两端器件，利用焦耳热对金属纳米线进行退火，并经电学预备操作稳定纳米线表面的初始形貌，然后采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米线进行电流‑电压(I‑V)扫描，通过监控纳米线的R‑V曲线的瞬态斜率和电阻增加的幅度，将纳米线表面的三维金属凸起物调控至所需的形貌和高度。
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公开(公告)号：CN116929868A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210359227.X
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。
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公开(公告)号：CN112259680B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011078540.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。
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公开(公告)号：CN114283867A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111600084.9
申请日：2021-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。
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公开(公告)号：CN109941991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910327755.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层‑金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。
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