-
公开(公告)号：CN102689897B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210213139.5
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃~800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，形成原子尺度石墨烯沟槽，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。本发明刻蚀形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的边缘，而且边缘手性一致，减小了边缘缺陷对石墨烯性能的影响。
-
公开(公告)号：CN102709332A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210153652.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H03K19/08
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102701196B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210213754.6
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯纳米带的方法，可用于制备石墨烯纳米带阵列及基于此结构的各种器件。该制备方法利用金属纳米颗粒在退火过程中会沿择优方向刻蚀石墨烯，在所述石墨烯形状边界限域作用下，金属纳米颗粒呈“之”字形轨迹刻蚀，从而形成石墨烯纳米带及其阵列。利用本发明所提出的方法，可以刻蚀出纳米尺度宽度的石墨烯纳米带阵列，而且石墨烯纳米带具有原子尺度的光滑边缘和相同的手性。
-
公开(公告)号：CN102701196A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210213754.6
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯纳米带的方法，可用于制备石墨烯纳米带阵列及基于此结构的各种器件。该制备方法利用金属纳米颗粒在退火过程中会沿择优方向刻蚀石墨烯，在所述石墨烯形状边界限域作用下，金属纳米颗粒呈“之”字形轨迹刻蚀，从而形成石墨烯纳米带及其阵列。利用本发明所提出的方法，可以刻蚀出纳米尺度宽度的石墨烯纳米带阵列，而且石墨烯纳米带具有原子尺度的光滑边缘和相同的手性。
-
-
公开(公告)号：CN102709332B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210153652.X
申请日：2012-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H03K19/08
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的二极管器件及其逻辑单元的结构，属于纳米尺度器件的结构以及加工方法。本发明二极管结构为一宽度沿延展方向渐变的三角形单层石墨烯纳米结构，或宽度沿延展方向一宽一窄两个矩形相连的单层石墨烯纳米结构，对该单层石墨烯纳米结构进行n型或p型掺杂。本发明可根据所需要的器件的功能设计石墨烯图形以实现特定的能带结构。本发明进一步提供了二极管器件组成的基本的逻辑门进而可以形成整个逻辑电路。
-
公开(公告)号：CN102689897A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210213139.5
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度石墨烯沟槽的制备方法，该方法首先制备石墨烯，并将其放置在耐高温衬底上或者悬空；然后在石墨烯表面淀积单个金属原子或由若干原子组成的金属原子簇；单金属原子或原子簇金属在设定温度400℃～800℃和Ar/H2氛围下刻蚀石墨烯，形成原子尺度石墨烯沟槽，随后自然冷却至室温后取出，并保存在干燥、真空或超净环境内。本发明刻蚀形成的石墨烯槽具有原子尺度平整的边缘，而且边缘手性一致，减小了边缘缺陷对石墨烯性能的影响。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.015 seconds)
