公开(公告)号：CN102285631B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201110153728.4

申请日：2011-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵华波 ,  李佩朔 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  张朝晖 ,  傅云义

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。

公开(公告)号：CN102646575A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210113193.2

申请日：2012-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 李佩朔 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种二氧化硅表面图形加工的方法，属于集成电路表面加工技术领域。该方法包括：在二氧化硅衬底上形成图形化的石墨烯层，并在石墨烯层上再沉积一层二氧化硅薄膜，随后用氢氟酸溶液刻蚀掉二氧化硅薄膜，即可在二氧化硅衬底上形成形状与石墨烯相同的刻蚀图案。本发明利用石墨烯增强刻蚀特性，在室温下在二氧化硅表面形成图形，其形状取决于石墨烯的形状；图形的位置可通过预先调整石墨烯的位置来控制，图形的边缘展宽和深度可通过控制刻蚀时间和石墨烯的层数来控制。本发明技术与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、低成本的二氧化硅表面图形的加工。

公开(公告)号：CN102285631A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110153728.4

申请日：2011-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵华波 ,  李佩朔 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  张朝晖 ,  傅云义

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种在石墨或石墨烯表面加工纳米尺度图形的方法，属于纳米加工技术领域。该方法具体包括：将石墨或石墨烯解离露出新鲜的表面并放置于原子力显微镜样品台上，石墨或石墨烯一端通过导线接地；用原子力显微镜扫描石墨或石墨烯表面并选取待刻蚀的区域；将原子力显微镜的针尖逼近石墨或石墨烯表面，设置扫描范围，进入扫描状态，同时在针尖上加负电压，当针尖处于多针尖状态，刻蚀石墨或石墨烯表面形成沟槽，从而得到所设计的加工图形。本发明利用多针尖效应，可以通过一次刻蚀得到两条或多条间距极窄的刻蚀沟槽。