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公开(公告)号：CN102801471A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210236374.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/10 , H04B10/155 , H04B10/158
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，用于便携装置之间的数据传输，该系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本发明无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN102409406A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110332793.3
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角微坑覆盖，用甩胶机进行甩胶处理；步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；步骤5：用NaOH溶液处理，除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；步骤6：再采用高温烧结，使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料，完成低位错氮化镓的生长。
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公开(公告)号：CN102130230A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010610360.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延N型GaN薄膜；步骤2：在N型GaN薄膜上沉积掩膜；步骤3：通过刻蚀或腐蚀工艺，在掩膜上制备SiO2网格，形成基片；步骤4：对基片进行清洗；步骤5：将清洗后的基片放入MOCVD设备，在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；步骤6：腐蚀去掉SiO2网格；步骤7：在P型GaN层上形成ITO层；步骤8：在ITO层上形成P电极；步骤9：在N型GaN层上形成N电极，完成器件的制备。
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公开(公告)号：CN119486316A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411618173.X
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F71/00 , C30B25/18 , C30B29/40 , H10F77/124 , H10F30/21
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜生长方法及AlGaN薄膜，涉及半导体材料外延技术领域，用以解决现有技术中基于碳化硅衬底生长的AlGaN薄膜存在缺陷密度高的技术问题。该方法包括：准备一衬底，并对衬底进行清洗处理；将清洗后的衬底放入高温MOCVD设备中，通入指定时间的金属有机源，使金属原子吸附在衬底的生长面；对吸附金属原子后的衬底进行指定时间的金属原子解吸附处理，得到目标衬底；在目标衬底的生长面上，生长AlGaN薄膜。该方法通过金属原子吸附和解吸附过程来降低衬底表面的台阶密度，有效去除表面的氧化层，从而提升了AlGaN薄膜的晶体质量和表面光滑程度。
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公开(公告)号：CN113539791B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110716091.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114146317A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111302851.8
申请日：2021-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种可穿戴式无创光疗装置，包括：光动力模块，包括至少一个主动发光单元，用于辐射光子束，为光疗装置提供初始光动力，其中，至少一个主动发光单元为发光二极管、有机发光二极管、超辐射二极管、半导体激光器中的一种或多种；驱动显示模块，用于控制、显示和记录光动力模块的工作状态。本发明中所公开的可穿戴式无创光疗装置，通过将主动发光单元与荧光转换材料相结合，使得主动发光单元入射光子束的光谱成分得以调整和改变。装置结构简单合理，使用范围广，穿戴舒适度和便携性较好。
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公开(公告)号：CN113445130A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110716151.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
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公开(公告)号：CN113437186A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110715925.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法，包括：对衬底进行热处理，以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构；在所述生长面上生长多孔AlN薄膜；在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量，而且可以通过多孔结构有效缓解外延层应力，进而制备高质量的AlGaN薄膜。
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公开(公告)号：CN110808319B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911099376.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种反极性垂直发光二极管及其制备方法，该反极性垂直发光二极管包括：基板；n型电极，位于所述基板之上；n型GaN基半导体层，位于所述n型电极之上；发光层，位于所述n型GaN基半导体层之上；p型GaN基半导体层，位于所述发光层之上；p型电极，位于所述p型GaN基半导体层之上；其中，所述n型GaN基半导体层、发光层和p型GaN基半导体层在自下而上的方向上均表现为氮极性，在自上而下的方向上均表现为金属极性。本发明综合反极性和垂直结构的优势，可有效提高p型GaN基半导体层的空穴浓度，抑制量子阱有源区的量子限制斯塔克效应，从而提高LED的辐射复合效率和内量子效率，改善LED的发光性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN111463334A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010302475.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种陶瓷基板，用于封装紫外LED芯片(6)，包括：凹槽形陶瓷外壳，其凹槽底部设有：第一电极(1)，第二电极(2)，以及第三电极(3)，之间相互隔离；凹槽(5)，用于封装稳压管芯片(7)，凹槽(5)包括第四电极(51)以及第五电极(52)，其中，第四电极(51)与第一电极(1)连接，第五电极(52)与所述第三电极(3)连接；凹槽形陶瓷外壳的外表面设有：第一背部电极(8)以及第二背部电极(9)，且分别与第一电极(1)和第二电极(2)连接。该陶瓷基板使得稳压管芯片和紫外LED芯片不在同一平面内，保护紫外LED芯片发出的紫外光不被稳压管芯片和胶粘剂吸收，保证了其出光率，同时设置稳压管芯片，保证紫外LED芯片不被损坏。
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