公开(公告)号：CN102801471A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210236374.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱邵歆 ,  闫建昌 ,  杨华 ,  张宁 ,  司朝 ,  曾建平 ,  李晋闽 ,  王军喜

IPC: H04B10/10 ,  H04B10/155 ,  H04B10/158

Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，用于便携装置之间的数据传输，该系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本发明无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。

公开(公告)号：CN102891229A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210375144.6

申请日：2012-09-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 司朝 ,  魏同波 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法。该氮化物半导体材料发光二极管包括：衬底；n型接触层，其材料为n型的氮化物半导体材料，形成于衬底上；活性发光层，其材料为氮化物半导体材料，形成于n型接触层上；以及p型接触层，其材料为p型的氮化物半导体材料，形成于活性发光层上；其中，活性发光层为由至少两种不同的氮化物半导体材料构成的多周期量子阱结构，该多周期量子阱结构中至少部分量子阱层的氮化物半导体材料为p型掺杂。本发明可以改善氮化物半导体材料发光二极管有源区中空穴的分布。

公开(公告)号：CN202652224U

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201220334190.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱邵歆 ,  闫建昌 ,  杨华 ,  张宁 ,  司朝 ,  曾建平 ,  李晋闽 ,  王军喜

IPC: H04B10/116

Abstract: 本实用新型公开了一种用于可见光通信的通信系统和便携装置，用于便携装置之间的数据传输，该通信系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本实用新型无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。