公开(公告)号：CN113445130B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202110716151.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  王大地 ,  郭亚楠 ,  刘志彬 ,  闫建昌

IPC: C30B29/68 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。

公开(公告)号：CN113445130A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110716151.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  王大地 ,  郭亚楠 ,  刘志彬 ,  闫建昌

IPC: C30B29/68 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B33/02 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。