公开(公告)号：CN119486316A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411618173.X

申请日：2024-11-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭亚楠 ,  张睿洁 ,  刘志彬 ,  闫建昌 ,  王军喜

IPC: H10F71/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H10F77/124 ,  H10F30/21

Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜生长方法及AlGaN薄膜，涉及半导体材料外延技术领域，用以解决现有技术中基于碳化硅衬底生长的AlGaN薄膜存在缺陷密度高的技术问题。该方法包括：准备一衬底，并对衬底进行清洗处理；将清洗后的衬底放入高温MOCVD设备中，通入指定时间的金属有机源，使金属原子吸附在衬底的生长面；对吸附金属原子后的衬底进行指定时间的金属原子解吸附处理，得到目标衬底；在目标衬底的生长面上，生长AlGaN薄膜。该方法通过金属原子吸附和解吸附过程来降低衬底表面的台阶密度，有效去除表面的氧化层，从而提升了AlGaN薄膜的晶体质量和表面光滑程度。

公开(公告)号：CN113437186A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110715925.4

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  张睿洁 ,  郭亚楠 ,  刘志彬 ,  闫建昌

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法，包括：对衬底进行热处理，以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构；在所述生长面上生长多孔AlN薄膜；在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量，而且可以通过多孔结构有效缓解外延层应力，进而制备高质量的AlGaN薄膜。