公开(公告)号：CN113539791B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202110716091.9

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭亚楠 ,  蔡听松 ,  刘志彬 ,  闫建昌 ,  王军喜

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。

公开(公告)号：CN113451457A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110715860.3

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 蔡听松 ,  郭亚楠 ,  刘志彬 ,  闫建昌 ,  王军喜

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L33/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提供一种AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上溅射沉积一层底层AlN薄膜层，得到一初始薄膜；多次对所述初始薄膜进行热处理制层处理，在所述初始薄膜上形成多层次层AlN薄膜层，直至所述衬底上的AlN薄膜层的总厚度达到目标值，得到AlN薄膜。在本发明提供的技术方案中，通过溅射沉积形成AlN薄膜，并通过重复进行热处理制层处理，形成AlN薄膜，获得更高晶体质量和更低应力的AlN模板，且制备工艺简单有效稳定，成本低，便于产业化应用。

公开(公告)号：CN113539791A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110716091.9

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭亚楠 ,  蔡听松 ,  刘志彬 ,  闫建昌 ,  王军喜

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

Abstract: 本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。