公开(公告)号：CN104300366A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410563125.5

申请日：2014-10-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李翔 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  朱建军

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，将P型接触层和P型限制层刻蚀成脊型；步骤3：在P型接触层的上表面制作P型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗；步骤5：在砷化镓衬底的背面制作N型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制作。本发明可以大大降低电子泄漏。

公开(公告)号：CN104157759A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410412107.7

申请日：2014-08-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘炜 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  刘宗顺 ,  江德生

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。

公开(公告)号：CN103646986A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310729555.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨敏 ,  种明 ,  赵德刚 ,  王晓勇 ,  苏艳梅 ,  孙捷 ,  孙秀艳

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/11 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1852

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n-i-p-i-n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。

公开(公告)号：CN103578986A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310566981.1

申请日：2013-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何晓光 ,  赵德刚 ,  江德生 ,  刘宗顺 ,  陈平 ,  杨静 ,  乐伶聪 ,  李晓静 ,  杨辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/2056

Abstract: 本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以氢气为载气进行生长，所述GaN低温成核层的生长温度为550℃，反应室压强为200Torr，厚度为0.2～0.3μm；GaN高阻层的生长温度为1040℃，反应室压强为50Torr，厚度为2μm。本发明提出的上述高阻GaN薄膜是通过控制材料生长时的反应室压强，控制反应前驱物TMGa中碳原子的并入，从而在不单独添加碳源的情况下引入碳杂质得到受主能级，使背景载流子浓度得到补偿。

公开(公告)号：CN102937585A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210461734.0

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宗顺 ,  赵德刚 ,  陈平 ,  江德生

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种测量直接带隙半导体材料禁带宽度的装置和方法，该装置包括：光源、第一透镜、待测样品、源表、第二透镜、单色仪、探测器组件和计算机，该计算机控制单色仪、源表和探测器组件，实现源表对直接带隙半导体材料制成肖特基势垒探测器样品的不同反向偏置电压设定，得到不同偏置电压下肖特基势垒区域的光荧光光谱强度分布，在反向偏压U1、U2(U1＜U2)下的光荧光光谱强度分布分别为P1、P2，二者之差ΔP21＝P2-P1，曲线ΔP21的正数部分最大峰值对应的波长数值相对应的光子能量就是所测量的直接带隙半导体材料的禁带宽度Eg。利用本发明，测得的直接带隙半导体材料的禁带宽度精度高，显示非常直观。

公开(公告)号：CN101872798B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010183403.6

申请日：2010-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘宗顺 ,  赵德刚 ,  朱建军 ,  张书明 ,  王辉 ,  江德生 ,  杨辉

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。

公开(公告)号：CN100369271C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200410033587.2

申请日：2004-04-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  G01J1/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。

公开(公告)号：CN101101934A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610111261.6

申请日：2006-08-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉 ,  梁骏吾 ,  李向阳 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。

公开(公告)号：CN1747184A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200410074363.6

申请日：2004-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  G01N21/33 ,  G01J1/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种PIN结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于N型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型欧姆接触层上；一P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在窗口层上。

公开(公告)号：CN1681135A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200410033587.2

申请日：2004-04-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵德刚 ,  杨辉

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  G01J1/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器，其中包括：一衬底；一高N型掺杂浓度层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在高N型掺杂浓度层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一肖特基势垒高度增强层，该肖特基势垒高度增强层制作在有源层上；一N型肖特基接触电极，该肖特基电极制作在肖特基势垒高度增强层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在高N型掺杂浓度层上。