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公开(公告)号：CN104538524B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°‑10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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公开(公告)号：CN108598192A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810460567.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种InGaN/GaN异质外延结构及生长方法，外延结构包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN层，其生长在衬底上；一InGaN有源区，其生长在GaN层上；一GaN层，其生长在InGaN有源区上。本发明可以将显著提高InGaN基太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN104538524A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°-10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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公开(公告)号：CN104157759A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410412107.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0075 , H01L33/06
Abstract: 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。
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公开(公告)号：CN105047772B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510309152.4
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206725A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510522409.4
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法，其中基于二维岛的InGaN量子点外延结构，包括：一衬底；一GaN外延层，其生长在衬底上；多个InGaN二维岛，其均匀生长在GaN外延层上；多个量子点复合层，生长在多个InGaN二维岛的上面，并覆盖InGaN二维岛。本发明是利用低温生长的二维InGaN岛作为量子点的成核中心，通过调整二维岛的生长温度和生长时间，可以较容易地实现对后续生长的InGaN量子点密度和分布的调控。
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公开(公告)号：CN104393132A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410636516.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12
Abstract: 一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。
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公开(公告)号：CN105206725B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510522409.4
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法，其中基于二维岛的InGaN量子点外延结构，包括：一衬底；一GaN外延层，其生长在衬底上；多个InGaN二维岛，其均匀生长在GaN外延层上；多个量子点复合层，生长在多个InGaN二维岛的上面，并覆盖InGaN二维岛。本发明是利用低温生长的二维InGaN岛作为量子点的成核中心，通过调整二维岛的生长温度和生长时间，可以较容易地实现对后续生长的InGaN量子点密度和分布的调控。
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公开(公告)号：CN104393132B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410636516.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种绿光LED外延层结构及生长方法，其中绿光LED外延层结构，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一多量子阱区，其生长在N型GaN层上；一P型AlGaN层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在P型AlGaN层上；一P型GaN盖层，其生长在P型GaN层上。本发明是通过提高MQW中空穴的注入效率和减小InGaN量子阱中的QCSE效应，实现绿光LED发光效率的提升。
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公开(公告)号：CN104157759B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410412107.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法，其中高密度高均匀InGaN量子点结构，包括：一衬底；一窗口阵列，其制作在衬底上；一GaN纳米柱，其生长在窗口阵列的开孔处，并与衬底表面接触；一第一InGaN量子点，其生长在GaN纳米柱的顶端；一第一势垒层，其覆盖第一InGaN量子点的顶端；一第二InGaN量子点，其生长在第一势垒层上；一第二势垒层，其生长在第一势垒层上，将第二InGaN量子点包裹住；多个InGaN量子点和势垒层，其依次重复生长在第二势垒层上。本发明具有选择性生长所具有的高密度高均匀性和自组装生长所具有的无缺陷高质量的双重优点。
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