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公开(公告)号：CN101101935A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610111262.0
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一高浓度的N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间；一肖特基接触电极，该肖特基接触电极制作在有源层上；一欧姆接触电极，该欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在欧姆接触层上面的两侧。
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公开(公告)号：CN1956227A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510118017.8
申请日：2005-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , G01J1/02
Abstract: 本发明一种背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一欧姆接触层，该欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在欧姆接触层上，该有源层的面积小于欧姆接触层的面积，位于欧姆接触层上面的一侧或中间；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上，位于欧姆接触层上面的另一侧或有源层的四周；一肖特基电极，该肖特基电极制作在有源层上，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN1490844A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02145890.1
申请日：2002-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的[10－10]晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。
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公开(公告)号：CN1209793C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02145890.1
申请日：2002-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或碳化硅(0001)晶面上采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延生长一层本征氮化硅，随后其上沉积一层氮化硅或二氧化硅或氮氧化硅作为掩模区，利用光刻和湿法刻蚀或干法刻蚀技术在掩模区上刻出图形，掩模区的图形设计成相邻窗口边沿氮化镓的(10-10)晶向，夹角为60度或120度的三角形或平行四边形或菱形或六角形或以上图形的组合图形结构，最后再采用金属有机物化学气相沉积或分子束外延或氢化物气相外延进行氮化镓及其化合物的二次外延生长，即横向外延。
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公开(公告)号：CN1053596C
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN96104510.8
申请日：1996-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01D53/46
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽，然后用KIO3、KI和H2SO4混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋处理，再分别用CuSO4、H2SO4混合溶液、KMnO4、NaOH混合溶液对废气进行逆向喷淋处理。并采取过压保护及报警措施以便在气路堵塞时处理气体。该方法对废气中有毒成份去除效率高，并消除了砷烷自爆的可能，使用更安全。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1956148A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510118016.3
申请日：2005-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种提高铝镓氮材料质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层成核层；步骤3：在该成核层上生长一层过渡层；步骤4：在该过渡层上生长一层掺杂的铝镓氮层，完成材料的制作。
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公开(公告)号：CN101525740B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量四氯化碳，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN101525740A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810101357.3
申请日：2008-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量卤化物，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。
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公开(公告)号：CN101101934A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610111261.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高GaN基pin结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层上面的中间；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在有源层上；P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在P型欧姆接触层上面；一N型欧姆接触电极，该欧姆电极为点状结构或环形结构，制作在N型欧姆接触层上面。
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